[馊评测] 畅销SSD评测6 – data retention测试

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SSD有个弱点 – Data Retention: 随着时间流逝产生的电荷泄露,最终会导致SSD上的数据出错或者无法被正常读取。

上图是一个NAND基本单元浮栅晶体管的截面图。最上面是控制层,中间是浮栅层,浮栅上面是多晶硅氧化层,下面是隧道氧化层。控制电压很高的时候,会产生量子隧穿效应,电子从衬底Substrate出发,穿过隧道氧化层,进入浮栅保存起来,就完成了写操作,充电了。反之,在控制层加很强的负电压,电子就从浮栅量子隧穿,回到衬底,这个操作叫做擦除。不过,控制层不加电压的时候,在氧化层依然有一个电场产生,叫做本征电场,它是由浮栅里面的电子产生的。在这个电场的作用下,电子会从浮栅慢慢泄露,泄漏的多了,数据就会发生错误。从写入操作,到电子慢慢泄漏,直到数据出错,这个期限叫做数据保存期,在SLC时代,这个时间很久,有好几年,但是到了TLC时代,就不到一年,有的只有几个月。

近期SSDFans对几块128G容量的SSD进行了Data Retention的测试,步骤如下:

  • 拷贝100G数据到SSD
  • 断电
  • 冰箱冷冻8天
  • 高低温-10度~70度 7天
  • 重新上电将SSD上的数据与源数据进行比对

几款SSD的型号

型号 主控 闪存颗粒 固件
联想 SL700 闪电鲨 SMI 2258XT TLC SMI Turnkey
金士顿 A400 Phison S11 Kingston Phison Turnkey
闪迪 加强版 SMI 2258XT SanDisk TLC SMI Turnkey
建兴V5 SMI 2254 TLC LiteOn自行开发

 

结果:

联想SL700,金士顿A400,闪迪加强版都顺利通过了测试,数据可以正常读取并通过比较测试。

之前表现一向最稳定的建兴V5出现了问题 — 数据无法正常读取, 考虑到这块盘在这轮评测开始前已经进行了大量的测试 (包括S3/S4,hotplug, 尤其是长时间饱和写测试),我们会联系厂商重新提供一块V5 再作一次测试.

建兴V5二次结果:

我们通过厂商又拿了一块V5,重复以上测试,得到了相同结果。从结果来看,V5的合理存放温度范围可能小于-10度~70度 。

 

 

 

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