[馊评测] 建兴T10 Plus 性能评测

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建兴T10 Plus是建兴和忆芯科技深度合作的一款SSD,主控方面采用忆芯科技的STAR1000,固件由建兴方面定制开发。

国产主控跟中国风的散热片更搭。

STAR 1000采用台积电28nm HPC工艺,支持PCI-E 3.0 x4通道与NVMe 1.2协议,支持StarLDPC ECC引擎,支持ASE256以及TCG OPAL加密,能够适配目前已有的MLC/TLC/3D MLC/3D TLC多种闪存类型。

SSDFans拿到的是256G和512G两个版本

T10Plus 512G版本,正面和反面都分别镶嵌了两颗东芝原厂的64层3D TLC闪存,单颗容量128GB,4颗容量共512GB,缓存使用了南亚的LPDDR3,型号是NT6CL128M32BM-H2,单颗容量为256MB,正反面各1颗共512MB。

拿下散热片后:

CrystalDiskMark结果

FIO结果(新盘)

  • 测试步骤:
    • 顺序读写:Secure Erase — > Seq Write –> Seq Read
    • 随机读写:Secure Erase — > Rand Write –> Rand Read
  • FIO配置: Direct=1 (不使用Cache), ioengine=libaio, IOQueue=32, 测试时间 60s, 顺序读写Block Size=128K,随机读写Block Size=4K

结果分析:

  • 与CrystalDiskMark的结果相比,顺序写的速度降低了不少,以256G版本为例,CrystalDiskMark的结果是1G/S 左右,而FIO的结果只有300 MB/S。
    • 这是因为T10 Plus使用的SLC Buffer为4G, 如果以1G/S的速度写入,很快SLC buffer就会被充满,而300MB/S则是TLC Flash真实写入的速度。(说明:消费级SSD使用TLC Flash,并划分部分空间作为SLC buffer以提高性能,是比较常规的做法。在消费级用户的日常使用中,大部分情况也不会连续写入大量的数据,像FIO这样连续写入的情况比较少见)
    • 同时可以看到,因为512G版本使用了更多的Die数,所以在平均写入速度上相较256G版本翻倍。
  • 与CrystalDiskMark的结果相比,顺序读的速度也有较大差距,以256G版本为例,CrystalDiskMark的结果是2548MB/S,而FIO的结果只有625 MB/S
    • 出现这个情况的原因跟测试方法有关
      • FIO顺序读写性能测试的步骤
        • 步骤 1: secure erase
        • 步骤 2: seq write 60s
        • 步骤3: seq read 60s
      • 由于步骤2在60s内写入的数据量不够 (写入比读取慢),步骤3进行一段时间以后会读到空白区域 –Host下发的读命令对应逻辑地址没有对应的物理地址,这种情况下固件会调用DMA做填“0”的操作,然后再把数据返回给Host