本次先以NAND Flash的三个基本功能之一: 读(Read)做简单描述和讨论,后续将继续对写(Program),擦(Erase)做描述,若有不对之处,请加以批评和纠正。文中存在多处对英语专业名词直译,因直译有所偏差,会直接使用英语进行描述,请谅解。
NAND Flash有三个基本操作:读(Read),写(Program),擦(Erase)。本次就read operation做简要说明。
读(Read)
以SLC(Single-Level Cell)为列,当我们读一个cell时(即Addressed cell如图Fig.1),它的gate施加电压Vread(0V),其他cells的ga[……]