IEDM：英特尔在MRFET工艺中嵌入了MRAM

英特尔跟随Globalfoundries，三星和台积电的步伐，开发磁性RAM作为嵌入式NVM，并用于IC制造。

该公司将于12月1日至5日在加利福尼亚州旧金山举行的国际电子设备会议（IEDM）上发表一篇论文介绍该技术。

虽然这是一个学术性的报告，且不能保证随后会出现相应的商业产品，但英特尔似乎可能会坚持到底，尤其是因为有报道称台积电将于今年在22nm FinFET上提供嵌入式MRAM。

直到40nm的工艺，闪存都是的嵌入式NVM的选择，闪存难以在28nm以下进行扩展。出于这个原因，代工厂Globalfoundries和三星都在FDSOI工艺中提供嵌入式MRAM选项。

然而，FinFET工艺的集成发展较慢。早在2017年，台积电首席技术官Jack Sun就表示，台积电计划在2018年使用22纳米制造工艺设计嵌入式MRAM。据报道，他还表示台积电将在2019年提供嵌入式ReRAM芯片。

在IEDM上，英特尔研究人员将描述在完整的300mm晶圆上成功地将嵌入式MRAM集成到该公司的22nm FinFET CMOS技术中。基于磁隧道结的存储器单元由双MTJ构建，该双MTJ由基于CoFeB的隔层隔开。

英特尔制造了一个7.2Mbit的阵列，报告称，数据保留可以超过10年，写耐久性超过10 ^ 6个周期。

电子显微照片显示了在英特尔22nm FinFET逻辑工艺中嵌入在金属2和金属4之间的MTJ阵列的横截面。