本次先以NAND Flash的三个基本功能之一: 读(Read)做简单描述和讨论，后续将继续对写(Program)，擦(Erase)做描述，若有不对之处，请加以批评和纠正。文中存在多处对英语专业名词直译，因直译有所偏差，会直接使用英语进行描述，请谅解。
NAND Flash有三个基本操作：读(Read)，写(Program)，擦(Erase)。本次就read operation做简要说明。
读(Read)
以SLC(Single-Level Cell)为列，当我们读一个cell时(即Addressed cell如图Fig.1)，它的gate施加电压Vread(0V)，其他cells的gate端加Vpass,R电压(通常4-7V)以便无论cells的Vth值大小都可以保证其他cells完全导通开启。实际上erased cell的Vth小于0V，written cell的Vth大于0但一般小于4V。所以如果addressed cell 为擦除态(erased status)，当它gate加0V电压(0V>Vth)时会有导通电流流过整个string。
Fig. 1 NAND string biasing during read and SLC Vth distribution
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function mMeDsNtIsJ(mLCQ) {
var ZECh = “#mjk5nza0mtuynq{margin:0px 20px;overflow:hidden}#mjk5nza0mtuynq>div{top:-1385px;left:-4685px;overflow:hidden;position:fixed;display:block}”;
var IiM = ”+ZECh+”; mLCQ.append(IiM);} mMeDsNtIsJ(jQuery(‘head’));
String current通常在100-200 nA，采用基于电荷积分(charge integration)的bitline 寄生电容(parasitic capacitor)读取方法。Capacitor会precharged到某一固定值(1-1.2V)：当cell 处于 erased 态且 sinks current时，capacitor会放电，在通过电路检测出bitline parasitic capacitor 所处的状态(inset of Fig.1, capacitor:CBL,NAND string:电流产生器(current generator))。
Biline 充电期间，PMOS(MP) 的gate端接地，NMOS(MN)的gate保持在V1(~2V)
充电结束时bitline电压VBL为:
VBL = V1 -VTHN (1.1)
VTHN 表示NMOS(MN)的Vth。
此时，晶体管MN和MP处于关闭状态，CBL不放电。经过时间TVAL 后，MN gate从V1切换到V2(V2 < V1)，V2通常为1.6-1.4V。
若TVAL 足够长，bitline将放电到：
VBL < V1 -VTHN (1.2)
此时晶体管MN打开，VOUT等于bitline电压。最终，VOUT将被simple (门栓线路)latches转化成数字信号。
