研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上， STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更好。
本周，半导体研究的核心商业合作伙伴IMEC在加利福尼亚州旧金山举行的国际电子器件会议（IEDM）上发表了大量论文。
在关于5nm嵌入式MRAM的论文中，IMEC使用经过硅验证的pMTJ紧凑模型进行了设计分析，该模型与5nm节点兼容。对于读写操作，pMTJ称访问延迟分别小于2.5ns和7.1ns。分析表明，STT-MRAM满足了高性能计算中一级到三级缓存的众多要求，并且读写性能显著高于SRAM。它满足了超过100MHz的时钟频率[……]
作者 Xilinx 唐杰
Persistent Memory 一直是存储的热点，这里面的技术和药物的研发类似，需要大量的时间和投入。NAND Flash这样的技术，其实是在1985年就研制成功，是随着使用的成本一步一步下降到今天的地步。
对于目前PM的总结，还是用The Memory Guys (http://thememoryguy.com/)的对比了。
先来看一下，每种技术后面的公司。MRAM目前是Everspin+GF， 之前的Avalanche这次完全没有声音。IBM和Samsung都有对MRAM的报告，但是他们也有对其他PM的报告。对于ReRAM来讲，Crossbar+UMC，对于被收购之[……]
NVMe over fabric 从2016年6月的协议第一版出来之后，目前来看的最大的变化就是TCP 协议的加入。对于物理上的三种Fabric来讲，IB，FC 和Ethernet的大户基本上不用质疑了。对于TCP协议的加入，坊间的说法是Facebook比较看好TCP，虽然他们的OCP的NVMe JBOF也有一个支持100G RCOEV2的定制机头。这个协议目前的进展很快，在Linux kernel中已经有支持了。
对于TCP的加入，Mellanox无疑成为最大的受害者，在RDMA的ROCEv2和iWarp之间，RoCEv2已经成为清晰的获胜者。虽然目前Mellanox和Broadcom在无[……]
NVMe SSD的核心算法众多，Garbage Collection（后文简称GC）就是其中之一。一个好的GC算法可以有效的降低SSD的写放大系数，对于SSD的性能和寿命都大有益处。本篇文章就介绍下Memblaze在GC算法及其仿真方面的一些工作。
NAND中，block必须先擦除，然后才能写入数据，且数据写入和擦除的粒度不一致，是需要GC的一个重要原因。擦除粒度block远大于写入粒度page，当系统写入一段时间后，会存在一些block，这些block中有些page中的数据是无效的，如下图。
GC原理示意（图中字母标识的page包含有效数据）
对于上图，GC完成的功能就是把图中左边的两[……]
由著名闪存技术社区SSDFans五位资深技术专家合著的《深入浅出SSD：固态存储核心技术、原理与实战》自6月中旬出版以来，销量快速增长，即将进行第三次印刷。
该书是中国第一本固态存储专著，不像国外SSD技术专著那么偏学术，更偏应用实践和工程界核心技术，内容非常全面，包括固态硬盘市场情况、使用方法、闪存颗粒物理原理和用法、SATA/NVMe/PCIe等接口协议、SSD测试、纠错编码等。荟萃了几位作者十多年来从事固态存储行业的实践经验。
该书成为很多存储从业人员办公桌必备书，不少公司员工几乎人手一本，并作为新工程师培训材料和老工程师跳槽前充电读物。广大存储同仁表示，放在书桌上，领导看到也会欣赏积极向上[……]
