SK海力士成功研发96层4D NAND闪存,性能提升30%

11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来,在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体,计划在今年年内进行第一批量产”。96层Nand闪存是目前性能最强的Nand闪存半导体。

之所以称之为4D Nand是因为它[……]

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三星宣布7nm的EUV SmartSSD、QLC-SSD进程节点

近日,三星2018科技日在圣何塞(San Jose,CA)圆满结束,此次三星也带来了一些新产品、新技术,这些创新有助于最大化数据中心的效率,并使人工智能和其他企业和新兴技术成为可能。2018年三星科技日的主要内容包括:

  1. 三星铸造厂的7nm的EUV进程节点在动力、性能和尺寸方面有显著改进。
  2. [……]

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从CPU角度理解PCIe续集

  • 概述

上篇文章剩下两个问题,上电扫描PCIe树和存储地址到PCIe地址的映射,本篇文章将对这两个问题做出解答。本文可能会针对某一款芯片做出详细流程解答,读者可以只关注整个流程,具体映射机制和寄存器参考芯片datasheet。上篇文章已经了解到如何访问配置空间,前256Bytes可以通过寄存器[……]

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