[馊评测] NVMe SSD功耗测试

近期我们使用DriveMaster对几款NVMe SSD的进行了功耗测试，具体步骤如下：

1. 设置SSD的Power State
2. 格式化SSD
3. Idle 10分钟，并测量其工作电流
4. 进行随机写 盘容量的20%，并测量其工作电流
5. Idle 1分钟，并测量其工作电流 （时间可调）
6. 切换到下一个Power State再进行以上测试

PS：测试的Power State为0~2

从log截图可以看到，DriveMaster会统计测试过程中各种数据，包括：

• 电流
• IOPS
• SSD的温度 – 通过抓SMART获得
• 截至该时刻的总功耗
• 当前写入1G数据所需的功耗

我们选取了几款SSD进行测试，分别是：

• Kingston KC1000
• LiteOn T11
• Plextor M8
• Samsung 960EVO

Kingston KC1000结果

• KC1000的Idle功耗和Active功耗在不同Power State下，基本上没有差别
• KC1000的IOPS在不同Power State下，基本上没有差别，在Power State 2下抖动略有增加
• KC1000的每GB写入功耗在不同Power State 0,1下差别不大，在Power State 2下抖动有明显增加

LiteON T11结果

• T11不同Power State下的IOPS，功耗和每GB写入功耗没有太大差别；
• T11的IOPS，功耗和每GB写入功耗抖动非常剧烈；

Plextor M8结果

• Plextor M8的Idle功耗和Active功耗，从Power State 0到Power State 2逐渐下降；
• Plextor M8的IOPS，从Power State 0到Power State 2逐渐下降；
• Plextor M8的每GB写入功耗，从Power State 0到Power State 2逐渐上升；（IOPS下降的幅度超过功耗下降，从而导致单位数据写入需要更多的功耗）

Samsung 960EVO结果

• Samsung 960EVO的Idle功耗和Active功耗，从Power State 0到Power State 1差别不大，到Power State2有所下降；
• Samsung 960EVO的IOPS，从Power State 0到Power State 1差别不大，到Power State2明显下降；
• Samsung 960EVO的每GB写入功耗，从Power State 0到Power State 1差别不大，到Power State2明显上升；（IOPS下降的幅度超过功耗下降，从而导致单位数据写入需要更多的功耗）

因为SSD的类型，配置有所差异，以下的横向对比仅供参考。

IOPS横向对比

功耗横向对比