近期我们使用DriveMaster对几款NVMe SSD的进行了功耗测试,具体步骤如下:
- 设置SSD的Power State
- 格式化SSD
- Idle 10分钟,并测量其工作电流
- 进行随机写 盘容量的20%,并测量其工作电流
- Idle 1分钟,并测量其工作电流 (时间可调)
- 切换到下一个Power State再进行以上测试
PS:测试的Power State为0~2
从log截图可以看到,DriveMaster会统计测试过程中各种数据,包括:
- 电流
- IOPS
- SSD的温度 – 通过抓SMART获得
- 截至该时刻的总功耗
- 当前写入1G数据所需的功耗
我们选取了几款SSD进行测试,分别是:
- Kingston KC1000
- LiteOn T11
- Plextor M8
- Samsung 960EVO
Kingston KC1000结果
- KC1000的Idle功耗和Active功耗在不同Power State下,基本上没有差别
- KC1000的IOPS在不同Power State下,基本上没有差别,在Power State 2下抖动略有增加
- KC1000的每GB写入功耗在不同Power State 0,1下差别不大,在Power State 2下抖动有明显增加
LiteON T11结果
- T11不同Power State下的IOPS,功耗和每GB写入功耗没有太大差别;
- T11的IOPS,功耗和每GB写入功耗抖动非常剧烈;
Plextor M8结果
- Plextor M8的Idle功耗和Active功耗,从Power State 0到Power State 2逐渐下降;
- Plextor M8的IOPS,从Power State 0到Power State 2逐渐下降;
- Plextor M8的每GB写入功耗,从Power State 0到Power State 2逐渐上升;(IOPS下降的幅度超过功耗下降,从而导致单位数据写入需要更多的功耗)
Samsung 960EVO结果
- Samsung 960EVO的Idle功耗和Active功耗,从Power State 0到Power State 1差别不大,到Power State2有所下降;
- Samsung 960EVO的IOPS,从Power State 0到Power State 1差别不大,到Power State2明显下降;
- Samsung 960EVO的每GB写入功耗,从Power State 0到Power State 1差别不大,到Power State2明显上升;(IOPS下降的幅度超过功耗下降,从而导致单位数据写入需要更多的功耗)
因为SSD的类型,配置有所差异,以下的横向对比仅供参考。
IOPS横向对比
功耗横向对比