3D NAND的寿命可能比我们想象的要短得多。
在今年的闪存峰会上，三星宣布了其1Tb 3D NAND的开发，并将用于明年投入商用。但是，我想大家都很期待4Tb 3D NAND什么时候会上市。
基于64层TLC 512Gb 3D NAND的信息，我们认为在三星和东芝130mm2的尺寸上进行 64层堆叠，要想实现4Tb NAND芯片，需要满足以下条件：
1.需要8个64层的字符串栈，这就需要（512Gb x 8）= 4Gb;
2.尺寸为130mm2,共512层;
3.处理一个晶圆片大约需要一年的时间，存储逻辑需要5周，对于64层堆叠(即8个64层字符串堆栈)，需要5到6周。因此，512层的晶圆处理时间约为45 – 53周。
如果这个简单的评估是正确的，那么实际上不可能实现4Tb NAND芯片。如果考虑使用QLC而不是TLC，那么最多只能提高25％。 因此，QLC 4Tb 3D NAND需要410层，晶圆处理时间约为9个月。
那么要实现16Tb 3D NAND呢？它需要2,048层堆叠，需要四年的晶圆处理时间。
在过去的几十年里，NAND在摩尔定律下取得了令人震惊的发展。当摩尔定律不再起作用，将平面NAND切换到3D NAND时，许多人预计3D NAND将在垂直方向上不断扩展其内存。然而，3D NAND只能与64层平面NAND的价格保持一致。 因此，3D NAND将开始与平面NAND进行竞争价格。不过现在4Tb NAND似乎是不可能的。
3D NAND缩放的局限性似乎很明显。那么，3D NAND会不会走到其生命的尽头呢？这一天可能不会太遥远。
原文链接：https://www.ednasia.com/news/article/Limitations_of_3D_NAND_Scaling
