根据市场分析公司Yole Developpement的数据，经过40多年的发展， PCM将迎来迅速发展的大时代，并在2023年实现约50亿美元的年销售额。
其市场份额将会从2018年的2.73亿美元增长到2023的61亿美元，这将占每年独立的新兴非易失性存储器市场份额的83％，这是一个约86％的复合年增长率。
以STT-MRAM为代价占据市场份额，预计PCM的复合年均增长率将会更高。预计到2023年， ReRAM的销售额将从2018年几乎微不足道的份额增长到销售额排名第二的位置。
新兴的非易失性存储器市场受到来自独立的和嵌入式应用技术市场的冲击。资料来源：Yole Developpement。
独立非易失性存储器的增长将主要通过所谓的SCM及推动基于PCM的3D XPoint存储器的PCM Intel和Micron的先驱者的利益来推动。值得注意的是，海力士正在研究类似于英特尔和美光的方法。
Yole的分析师Simone Bertolazzi在一份声明中说：“虽然围绕嵌入式应用的新兴NVM正在发展，但独立存储器将会主导市场，这主要由SCM企业和客户端应用驱动。”
Yole的高级分析师Yann de Charentenay表示，DRAM的扩展在未来五年内仍会继续，但速度将比以前慢。由于3D集成技术的发展，NAND闪存的容量也将不断增加。因此，新兴的NVM不会取代独立的DRAM和NAND闪存，但会在组合存储器中对其进行补充。
Yole表示，ReRAM有望成为第一个与3D XPoint相竞争的独立技术，但由于技术挑战，ReRAM的发展相对较为缓慢。独立的ReRAM的主要支持者是Crossbar Inc.和Nantero Inc.
新兴的非易失性存储器因应用而发展。资料来源：Yole Developpement。
Yole声称ReRAM可能在2020年之后再次竞争SCM socket。由于高速和高耐久性，STT-MRAM也很有前景，但制造工艺更复杂。
相比之下，对于新兴非易失性存储器的嵌入式市场，STT-MRAM正在为微控制器增添动力。Yole说，所有主要的代工厂都参与了这个领域。
与独立市场相比，嵌入式新兴NVM市场规模较小，占2017年新兴NVM市场的3％左右。然而，所有顶级代工厂都在准备28nm或22nm的STT-MRAM产品，然而中芯国际和联华电子将ReRAM推迟了约两年。
Yole预测，到2023年，STT-MRAM将占据每年11亿美元的市场份额的四分之三左右，其余大部分将用于ReRAM技术。
目前尚不清楚Yole是如何衡量嵌入式存储器市场的，因为存储器的价值已经包含在嵌入存储器的微控制器和SoC的销售价格中。
作为嵌入式NVM，Yole给予PCM很小的市场份额。STMicroelectronics 是迄今为止唯一宣布有意使用该技术的公司。
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