IEDM: SK Hynix开始生产基于pcm的3D交叉点存储器

内存芯片制造商SK海力士公司（韩国利川）将凭借自主的基于相变材料的 3D-crosspoint非易失性存储器来紧跟英特尔和美光的脚步。

SK海力士将于12月1日至5日在加利福尼亚州旧金山举行的国际电子设备会议（IEDM）上发表一篇论文，介绍该技术。

该公司将介绍用于SCM的3D crosspoint 存储单元，该存储单元是由与硫化物选择设备集成的相变材料做成的。

该论文的摘要部分描述了一种新的相变材料，但目前尚不清楚该公司是否会透露具体的配方，它可能只是锗-锑-碲（GeSbTe或GST）三元合金中的一种。

SK海力士制造的单元采用双层结构，节点密度在20到29nm之间，16MBit的测试阵列的读延迟小于100ns。作者称该存储器适用于128Gbit设备。

英特尔和美光于2015年7月推出了3D XPoint的SSD，当时英特尔和美光公司对他们使用的材料也很含糊其辞，并将当时使用的技术称为一种bulk-switching电阻式RAM。然而，人们普遍认为它是基于硫化物的相变材料，并且两家公司都没有否认。

英特尔花了几年的时间推出基于3D XPoint的固态硬盘，但在今年，英特尔和美光宣布他们之间的合作即将结束。