台积电嵌入式MRAM成为Gyrfalcon AI芯片的关键

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Gyrfalcon Technology(位于加利福尼亚州米尔皮塔斯)是一家初创公司,它推出了两款机器学习处理器 – Lightspeeur 2801S2803 ASIC,它们都拥有非易失性存储器选项。

 

Gyrfalcon的首席科学家Lin Yang在接受电话采访时告诉eeNews Europe,该公司的业务可能会在几年内延伸到​​机器学习处理器的模拟或混合信号的实现。

Gyrfalcon成立于2017年,已经开始向客户提供数字ASIC,零件编号中的28表示用于芯片的制造工艺节点。

2802将是2801/2803的非易失性存储器版本,采用TSMC的嵌入式磁性RAM制造工艺制造。Lin Yang 说:“这是目前世界上最先进的MRAM技术”。

目前尚不清楚Gyrfalcon是否利用MRAM的非易失性来增强功能或利用MRAM面积小的优点来增加内存预算。2801和2803芯片基本相同,但在2803中有一些额外的电路,以支持多芯片阵列,以用于数据中心的PCIe卡。

Gyrfalcon是台积电嵌入式MRAM的早期采用者之一。

在嵌入式MRAM供货方面,台积电已落后于竞争对手Globalfoundries和三星。但去年其表示将在2018年为SoC提供嵌入式MRAM作为非易失性存储器选项。

三星和Globalfoundries已分别在28纳米CMOS和22纳米FDSOI工艺上提供eMRAM,但有可能会被台积电超越,其计划在2019年提供ReRAM非易失性存储器,然后将嵌入式MRAM和嵌入式ReRAM移至22nm FinFET工艺上。

Gyrfalcon还有超越数字处理器的雄心。Lin Yang 说:“模拟实现是功率和速度的选择”。他说,这最有可能发生在成功的数字机器学习处理器的背后。Lin Yang 总结说:“然后我们可以在模拟中进行重新优化,但灵活性会降低”。数字处理器提供了灵活性,但模拟可能会在某些应用中发生,甚至是在两年内。

 

原文链接: http://www.eenewsanalog.com/news/tsmc-embedded-mram-key-gyrfalcon-ai-chip

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