MRAM开发商Spin Transfer Technologies Inc.已更名为Spin Memory Inc.（加利福尼亚州弗里蒙特），并在Applied Ventures LLC和ARM Ltd.领导的B轮融资中募集了5200万美元。
Applied Ventures LLC是芯片制造设备供应商Applied Materials Inc的风险投资部门.Spin Transfer Technologies成立于2007年，由孵化器公司Allied Minds全资拥有。
Applied，ARM和Spin Memory正在寻求使用嵌入式MRAM作为片上非易失性高速缓存来替代闪存，这将复制Globalfoundries Inc.和英特尔公司所做的工作。
相反，三人组正在寻求嵌入式MRAM的进一步改进，以允许它在非常接近逻辑电路和逻辑电路内的寄存器、触发器、便笺式存储器中取代SRAM。随着这种状态的即时保留，这种非易失性可能对微处理器和微控制器的设计方式产生重大影响。与SRAM相比，MRAM已经具有非易失性和密度的优势，SRAM存储器单元通常使用六个晶体管来实现，但它需要证明特殊的耐久性在逻辑上是适用的。。
ARM研究员Greg Yeric 最近告诉eeNews Europe， MRAM技术可能会实现适当的速度和耐久性权衡，以便将MRAM引入核心逻辑，这可能引发微处理器和微控制器架构的革命。
Spin Memory在一份声明中表示，三家公司之间的资金和商业协议是将MRAM作为嵌入式SRAM和一系列非易失性存储器的主流替代品的一部分。
这笔2900万美元的资金来自Applied，ARM和现有投资者，其中2300万美元来自Allied Minds，Woodford Investment Management和Invesco Asset Management在前一轮认购的可转换证券。作为协议的一部分，ARM将授权Spin Memory的Endurance Engine设计IP，以解决SoC中的静态随机存取存储器（SRAM）应用问题。
基金和商业协议代表了一种新的合作模式，Spin Memory正在推动将MRAM作为嵌入式SRAM和一系列其他非易失性存储器的主流替代品。
这些协议利用了Applied Materials在物理气相沉积和蚀刻工艺技术方面的创新， PSC的自旋偏振器技术以及两家公司的垂直磁隧道结技术（pMTJ）。
PSC结构可将任何MRAM器件的自旋转矩效率提高40％至70％，同时消耗更少的功率。Spin Memory表示，STT-MRAM产品相比，PSC不需要额外的材料或工具，PSC结构几乎不会增加任何复杂性。
该技术能够解决非易失性（类似闪存）和SRAM替换的应用，并且应该在2019年上市。
Spin Memory首席执行官Tom Sparkman在一份声明中表示,“通过与Applied Materials公司的合作，我们将把下一代STT-MRAM推向市场，满足对替代内存解决方案不断增长的需求.”
在基本的PSC pMTJ , Spin Memory开发了耐久性引擎 – 电路和设计架构的组合，通过利用pMTJ的随机行为，提供高达6个数量级的耐久性，同时实现类似SRAM的读写速度。虽然用于高速缓冲存储器的MRAM通常被评定为10 ^ 8个耐久性周期，但耐久性引擎的额定耐久性为10 ^ 14个周期，这对于几乎所有的SRAM和DRAM应用来说都是足够的。由于耐久性引擎完全使用数字电路实现，因此可以在任何逻辑或存储器数字工艺中制造，并且可以与任何pMTJ一起使用。
ARM将从Spin Memory给耐久性引擎授权，并用它来开发一系列嵌入式MRAM设计IP。该MRAM设计IP将解决SoC中的静态随机存取存储器（SRAM）应用，功率比当前基于6T SRAM单元的IP更低。
ARM物理设计组总经理Gus Yeung说，“像AI，5G，ADAS和IoT这样的技术，需要比现有的基于SRAM和eFlash的解决方案更小的功率和面积，这些要求引领行业重新思考芯片的开发方式 – 包括其内存IP内容。ARM与Spin Memory的合作旨在解决一个关键的设计挑战，并在SoC中实现更广泛的MRAM设计应用。”
原文链接： http://www.eenewsanalog.com/news/arm-applied-seek-replace-sram-mram
