3D XPoint素来神秘，坊间各种传闻，有的说是好兄弟Intel/Micron从大学买的专利，有的说是PCM存储器，那到底是什么，www.dailytech.com 网站的Jason Mick在XP发布后就做了深度探秘，我们一起来看看。
不是ReRAM
据说有人告诉ComputerWorld的记者，XP不是ReRAM（见百度百科），也不是忆阻器（memristor，参见http://baike.baidu.com/view/1311431.htm
）技术，这两个都是电阻式记忆体。任教于加州大学伯克利分校，并且是新竹交通大学电子工程系荣誉教授的蔡少棠（Leon Chua），37年前就预测有第四个元件的存在，即忆阻器（memristor），实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器。
我们来回顾一下历史。以前的存储介质，基本被机械硬盘HDD所统治，但是这位老大哥速度很慢，所幸的是，最近10年来，速度更快的基于NAND Flash的SSD快速发展，渐渐在取代HDD。NAND Flash的SSD有什么优缺点呢？
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优点
- 读写速度快；
- 功耗低；
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缺点
- 贵，不过3D NAND提升了密度，成本自然就下降了；
- 有擦写寿命限制；
- 写完后持久存放（若干年）后数据有概率会丢失；
混一存储器
看到NAND有这么多缺点还混得风生水起，名噪江湖，很多还默默无闻的高手都想来挑战它。有一种存储器叫做混一存储器。什么？你要混一存储器江湖，要知道DRAM和NAND Flash是当前的王者，谁能击败两大高手，待俺细细道来。
NAND Flash用在SSD上，使用SATA接口，更快的用SAS，甚至PCIe接口，看起来很快了吧。其实最快的还是DRAM，可以支持字节级别的访问，可用来做内存，可是梅长苏这么有才，偏偏体弱多病，寿命不长啊。DRAM上的数据如果不通电，马上就飞了。所以现代计算机同时使用DRAM和NAND Flash存储数据。
最新的Haswell-E/Broadwell处理器兼容的DDR4内存，读写速度可达61GB/s, 46GB/s，而一个lane的PCIe SSD理论上最高只能到1GB/s（PCIe 3.0），或者0.5GB/s(PCIe 2.0)，一般用4个lane，就是4GB/s, 2GB/s.更慢的SATA理论上最高是600MB/s.当然，HDD就非常慢了，西部数据的VelociRaptor HDD顺序读写速度分别为215MB/s,140MB/s。
所以，尽管PCIe SSD相比HDD快20多倍，DDR 4却是它的十几倍。最好是能找到和DRAM一样速度，数据也不会掉电丢失的存储器。江湖上有这么多自称有才的大侠：
- 忆阻器：ReRAM；
- 铁电存储器：FeRAM；
- 磁阻RAM：MRAM；
- 相变存储器：PRAM，PCM；
- 导电桥接RAM：cbRAM，又称可编程金属元存储器PMC；
- SONOS RAM: Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon；
- 导电金属氧化物存储器：CMOx。
如下图，它们很多都采用了crossbar技术，其实就是wordline, bitline组成的存储栈，栈里面基础是存储单元和交换单元。
到底谁能如麒麟才子，得之可得天下，且看下回分解。
谢谢唐僧，在他的群里看到这篇文章，决定翻译过来分享给大家。
引用
