碉堡了:HGST NVME闪存卡4K 随机读可达 750,000 IOPS !

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750,000 IOPS的4K随机读的速度,看到后,你是不是虎躯一震:NB!距离发布NVME Ultrastar SN100 PCI 闪存卡7个月后,HGST终于开始出货了。HGST宣称它是”业界性能最好的NVME SSD系列产品”。我们来看看它的具体参数 (猛击这里获取SN100 datasheet):

  • 800GB,1.6TB和3.2TB 三种容量,使用MLC,PCIe 3.0,4通道
  • 4K随机读高达743,000 IOPS
  • 4K随机写高达160,000 IOPS
  • 顺序读高达3GB/S
  • 顺序写高达1.6GB/S
  • 20us的延时
  • 5年质保
  • 每天可写满3遍盘的耐久力
  • 混合读写(70%的读+30%的写)可达310,000 IOPS (800GB性能差点)

HGST在发布闪存卡SN100的同时,也提供相应的闪存软件套件和设备管理软件。

Figure 1 HGST SN100 系列产品

随机读速度是SN100的最大亮点。早前,EMC的VFCache的715,000打破了Sandisk ioDrive 2 Duo 保持的700,000的记录;随后,美光P420m和三星3D V-NAND SM1715也达到750,000 IOPS的4K随机读,两者仅仅比SN100高出一点点。

外形方面,SN100系列有半高半长的”刀卡”(SN150),可以直接插入PCI Express插槽;此外还有2.5英寸的版本(SM100),该驱动器亦支持热插拔。

SM100现已上市, SN150则会在下个月(五月)上市。

 译自:http://www.theregister.co.uk/2015/04/13/hgsts_fast_nvme_flasher/

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