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三星
华城Fab12 – 已经于2015 年开始转向14nm MLC 的生产，16nm TLC 生产于2016 年Q4 结束。目前主要向消费Flash，eMMC/eMCP和部分SSD产品供应MLC颗粒。整体产能约15 万片/月。
华城Fab16 – 从2016 年3 月开始，将原有的16nmMLC 产线和原有32 层V-NAND 产能全部转向48 层V-NAND；原有的14nm MLC 产线不再扩充，维持目前的生产规模，整体产能约22 万片/月。
西安工厂– 2016 年开始将原有32 层V-NAND 产能转向48 层，整体产能约11 万片/月。
华城Fab17 – 作为Fab 16 的扩展项目，2015 年初开始动工，预计2017 年Q1 开始试产，按需求调节生产
DRAM和NAND Flash，NAND Flash 部分生产64 层V-NAND，初期产能约3 万片/月，后期整体产能约
10 万片/月。
平泽Fab18 – 2015 年5 月动工兴建，预计2017 年Q2开始试产，耗资150 亿美元。主要生产64 层
V-NAND，未来预计总产能超20 万片/月。
东芝/WD SanDisk
Fab2 – 于2015 年开始做产线改造，2016 年Q2 开始小规模量产48 层3D NAND，从2017 年Q1 开始逐步转向64 层3D NAND。初期产能5 万片/月。
Fab3 – 维持少量生产A19 NAND，从2015 年Q4 开始量产15nm MLC/TLC。整体产能大约13 万片/月。
Fab4 – 维持少量生产A19 NAND，从2016 年Q1 开始量产15nm MLC/TLC。整体产能大约18 万片/月。
Fab5 Ph1 – 主要量产A19 和15nm，从2015 年Q4部分量产48 层3D NAND。整体产能约10 万片/月。
Fab5 Ph2 – 2013 年动工，2014 年Q3 投入生产，2016年量产48 层3D NAND。整体产能大约10 万片/月。
Fab6 – 预计2017 年3 月开始建设，2018 年Q3 开始量产，生产3D NAND。
SK Hynix
清州M11 – 从2016 年5 月开始逐步增加14nm TLC产能，减少16nm MLC/TLC 比例，预计2016 年底切换完毕。整体产能大约12 万片/月。
清州M12 – 从2016 年9 月起全部切换至14nm TLC量产。整体产能大约10 万片/月。
利川M14 – 除原有DRAM 产能之外，2016 年初开始试产36 层3D NAND。SK 海力士在2016 下半年加大对
3D NAND 投入，预计在2017 上半年试产72 层3D NAND。
清州M15 – 计划新建一个存储器工厂，将在2017 年8月动工，2019 年6 月之前完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元，主要用于生产3D NAND。
美光
维吉尼亚MTV – 持续量产16nm MLC，整体产能大约4 万片/月。
犹他IMFT – 持续量产16nm MLC，整体产能大约7 万片/月。
新加坡IMFS Fab10N – 是目前3D NAND 主力出货工厂，整体产能大约13 万片/月。2016 年初逐步增加32 层3D NAND，减少16nm MLC 比例，2017 年逐步转向64 层3D NAND 制造。
新加坡IMFS Fab10X – 2015 年投资40 亿美元在Fab10N 旁新建Fab 10X。预计2017 年Q1 开始试产，主要生产64 层3D NAND，整体产能大约10-12 万片/月。
大连Fab68 – 英特尔2015 年宣布独自投资55 亿美元升级设备，2016 年Q3 开始试产32 层3D NAND，预计2017 年中期转至64 层量产
长江存储
国家存储器基地位于武汉东湖高新区的未来科技城，规划建设3 座3D NAND 生产工厂，1 座总部研发大楼和其他若干配套设施，2018 年建成投产，理想情况是在2018 年Q3量产32层64Gb MLC和256Gb TLC 3D NAND，到2020年可形成月产能30 万片的规模，到2030 年可提升到每月100 万片的产能。
下表镇楼
