在3D XPoint刚发布之后，Intel一直把它搞得神神秘秘，也不透漏到底是个什么秘密器件。任何一种器件总是有个发展历史，不能像孙悟空一样吸收天地日月之精华，突然从石头里蹦出来。悟空本来是个天资很好的石猴，经过了菩提老祖的传授，变得神通广大，改了个齐天大圣的名字，一下子玉皇大帝都被惊动了。Intel也是把曾经的某款器件经过工艺优化，改了个3D XPoint的名字，震惊世人。
不过，山外有山，人外有人。没有XPoint的实物，大家只能瞎猜，一旦有了基于3D XPoint的Optane SSD，就有大神来破解了。UBM Techinsights是业界著名的反向工程和芯片分析专业公司，他们有一帮技术大牛和先进设备，专门通过芯片物理分析，来发现其中的秘密。比如苹果iPhone的A系列芯片就是他们的老关系户。
这回，TechInsights盯上了3D XPoint。我们来看看AnandTech的报告，揭开3D XPoint的神秘面纱。
首先来看芯片Die的大小，如下图，和其他NAND Flash芯片对比，发现3D XPoint个头是最大的：206.5 mm2，开个根号，差不多就是14.4 mm的平方。仅仅是Die就是1.5厘米宽！懂点半导体工艺的人都知道，芯片面积越大，良率越低，生产成本就高了。不过从图中可以看出，Intel/Micron的NAND个头都比三星，东芝的要大，所以用在消费级上要吃亏。当然，事情也在变化，最小的那块就是Intel/Micron的64层3D NAND。
再来看看存储密度，3D XPoint排倒数第三。。。存储密度低，芯片个头大，良率低，意味着3D XPoint的生产成本要比普通NAND Flash要高。但是，无所谓，因为眼下没有竞争对手！可以卖得很贵。
我们再来看看3D XPoint芯片的裸照。比较恐怖的是，91.4%的面积都是存储阵列！要知道NAND Flash最高只有84.9%，三星的48层 V-NAND存储阵列只占70%，东芝和Hynix的3D NAND差不多。这说明NAND的控制逻辑比较复杂，需要占用很多芯片面积。也说明，如果未来Intel提升3D XPoint的层数，存储密度提升潜力更大。
进一步用高倍显微镜（电子显微镜或者扫描隧道显微镜）拍照，发现3D XPoint也有NAND Flash类似的bitline和wordline，采用了20nm工艺。而DRAM刚跨过这个工艺节点，目前进入1xnm。如果放在相同工艺20nm下比较，可以发现3D XPoint的存储密度是DRAM的4.5倍！是当前1x nm DRAM的3.3倍！
目前还不能完全分析出3D XPoint用了什么材料，但是看起来是个PCM（Phase Change Memory，相变存储器）存储单元，带有一个掺杂的硫化物选择开关。3D XPoint存储阵列用了第四层和第五层的金属层来搭建。
