MicroSemi版的动态ECC

前面有篇文章介绍过Seagate的LDPC，其中提到了动态ECC的部分，说的是在SSD不同的生命阶段，采用不同的ECC长度。

这两天看到了一份MicroSemi的资料，也提到了动态ECC的部分，可以分享一下。

首先，MicroSemi给出一张图说明自己的观点：

1. 相同的PE Cycle，不同的Page之间，RBER最多可能相差20倍
2. 不同的Page，在整个生命周期内，RBER最多可能相差2000倍

这样会带来一个问题：

• 如果Parity Data占用比较多bit，User Data可用空间就小，WA就大
• 如果Parity Data占用比较少bit，有些page就会出现Uncorrectable Error

所以，主控要能够提供多种ECC长度供固件选择为好，MicroSemi给了三种：

1. Puncturing （裁剪）
2. Shortening （瘦身）
3. Custom Code Rates （定制）

Puncturing是对Parity Data动刀：

写： 原本User Data需要10 bit Parity，砍掉2bit，再写入NAND

读：从NAND读出数据，将8 bit Parity补上2 bit （null）再Decode

Shortening是对User Data动刀：

Parity长度不变，但是User Data长度变化，变相调节了单位User data对应Parity的位数；

Custom code rate就是量身定做了，固定的User Data长度，Parity你想用多少位就用多少位；

从MicroSemi放出的结果来看：

采用定制的Code能够比前两种方式最多提高30%的解码性能以及减少20%的解码迭代次数。

我有两个疑问：

1. 主控提供了这样的机制，固件应该根据什么信息决定每一笔数据写入时的ECC长度？是不是在FTL映射出PBA时，还需要读出该地址上次读取数据时的RBER？
2. 大家都搞动态ECC，这东西能申请专利不？如果可以，是不是A就可以告B然后坐等收钱了？c

原文：LDPC Code Rate Adaptation Methods for NAND Flash on FMS 2016