补充一些其他零碎的知识点。
- RBER随着PE Cycle增加而增加的曲线非常平滑，即使这块盘的PE Cycle到了寿命要求的值以后仍然如此， 在PE cycle到了寿命的三倍时，RBER才会有一个陡峭的上升（厂商给自己留了足够大的buffer） — 兵哥之前的non-balance wear leveling 算法，也是把Flash的寿命提高3倍，兵哥的水平跟加拿大教授一样高！
- 通常的加速算法并不能有效的推演出实际使用情况下UECC随着PE cycle增加的趋势，其错误率比真实情况低了一个数量级；以盘MLC-B为例， 60%的盘出现了Uncorrelated Error，80%的出现了坏块，但是6块同样型号的盘在加速测试里并没有出现任何Uncorrelated Error和坏块 （在PE Cycle达到寿命3倍之前）；
- 如果一块盘前段时间（比如上个月）出现过Uncorrectable error，这个月有接近30%的机会会再出现uncorrectable error，但是在一个随机月份里，出现该问题的几率只有2%；这个规律同样适用于Final Write Error， meta error和Erase error；
-
盘在出厂以后，使用过程中会出现坏块，中位数是2-4个，但是一旦超过这个数量，坏块数量就会迅速增加；以MLC SSD为例，第二个坏块出现以后，坏块数量迅速增加直接跳到200左右；下图是教授提供的坏块趋势图；
- 可怕的是，所有型号的SSD，绝大多数坏块都是在读操作，而不是擦写操作中发现的；（如果你没有Die RAID，数据就木有了）
- 出厂坏块的数量对后续使用有影响，出厂坏块数量高于工厂水平95%分位的盘，在后期使用过程中，更容易产生坏块和出现write error和read error；
原文：Flash Reliability in Production: The Expected and the Unexpected
Bianca Schroeder, University of Toronto; Raghav Lagisetty and Arif Merchant, Google Inc.
https://www.usenix.org/conference/fast16/technical-sessions/presentation/schroeder
