人微言轻，没机会去硅谷感受FMS2017的大火，只能学习PDF文件，这次IMB分享了他们关于两代3D NAND Flash的测试结果。
测试对象：
初代目32-48 层CS，二代目64-72层ES。
根据闪存市场的数据，各Flash厂商目前的进度如下，各家的层数都在这个范围里，所以没法妄下结论到底是哪家的。
- Endurance对比
总体而言，二代目与初代目水平相当，但在BER随着PE上涨的趋势方面还有提升空间。
- tRead and tRPOG对比
二代目在tRead（读取时间）和tPROG(写入时间)上提升明显，达到25%。
二代目有适当的提升tREAD/tPROG的空间，以换取Endurance （降低电压从而降低氧化膜的损耗）
- tERASE对比
二代目在tERASE（擦除时间）上提升显著，达到33-50%、
- Data Retention对比
在达到官方寿命，1.5倍寿命，2倍寿命后进行高温Data Retention 测试
二代目跟初代目一样，在初期BER会有一个急速的提高（阈值电压的急剧偏移导致）
- Read cycle对比
在达到官方寿命，2倍寿命，3倍寿命，4倍寿命后进行Read Cycle 测试。
二代目与初代目表现相当。
Slide原文如下，有兴趣的童鞋请自行搜索。
Can Next-Generation 3D TLC NAND Extend Enterprise Applications?
*Thomas J Griffin, *Patrick Breen, *Gary Tressler, **Nikolaos Papandreou
*IBM Systems –Poughkeepsie, NY, USA
**IBM Research –Zurich, Switzerland
