[馊评测] 畅销SSD评测6 – data retention测试

SSD有个弱点 – Data Retention: 随着时间流逝产生的电荷泄露,最终会导致SSD上的数据出错或者无法被正常读取。

上图是一个NAND基本单元浮栅晶体管的截面图。最上面是控制层，中间是浮栅层，浮栅上面是多晶硅氧化层，下面是隧道氧化层。控制电压很高的时候，会产生量子隧穿效应，电子从衬底Substrate出发，穿过隧道氧化层，进入浮栅保存起来，就完成了写操作，充电了。反之，在控制层加很强的负电压，电子就从浮栅量子隧穿，回到衬底，这个操作叫做擦除。不过，控制层不加电压的时候，在氧化层依然有一个电场产生，叫做本征电场，它是由浮栅里面的电子产生的。在这个电场的作用下，电子会从浮栅慢慢泄露，泄漏的多了，数据就会发生错误。从写入操作，到电子慢慢泄漏，直到数据出错，这个期限叫做数据保存期，在SLC时代，这个时间很久，有好几年，但是到了TLC时代，就不到一年，有的只有几个月。

近期SSDFans对几块128G容量的SSD进行了Data Retention的测试,步骤如下:

• 拷贝100G数据到SSD
• 断电
• 冰箱冷冻8天
• 高低温-10度~70度 7天
• 重新上电将SSD上的数据与源数据进行比对

几款SSD的型号

结果：

联想SL700，金士顿A400，闪迪加强版都顺利通过了测试，数据可以正常读取并通过比较测试。

之前表现一向最稳定的建兴V5出现了问题 — 数据无法正常读取, 考虑到这块盘在这轮评测开始前已经进行了大量的测试 （包括S3/S4，hotplug, 尤其是长时间饱和写测试），我们会联系厂商重新提供一块V5 再作一次测试.

建兴V5二次结果：

我们通过厂商又拿了一块V5，重复以上测试，得到了相同结果。从结果来看，V5的合理存放温度范围可能小于-10度~70度 。