过去的2016年，中国闪存界最大的新闻莫过于长江存储的成立了，NAND Flash的制造变成了国家产业升级的战略任务之一。许多人对长江存储充满了期待，希望能打破几大国际巨头对NAND Flash行业的垄断，使中国在核心存储器件不受制于人。也希望长江存储能大幅拉低NAND Flash价格，促进固态硬盘和物联网终端的普及。本文阿呆就来分析一下长江存储的未来和影响。
闪存行业的从业者肯定对刚刚过去的2016年闪存大涨价记忆犹新。NAND Flash作为当前和未来5-10年最炙手可热的存储介质，在手机、平板、电脑、物联网设备、企业级存储等领域有着广泛应用。根据中国闪存市场调查，去年下半年需求方面iPhone 7等手机存储容量大增，消费级SSD（固态硬盘）也从128GB向256GB升级，而供应方面遇到2D NAND减产，3D NAND初期产能不足，导致闪存大涨价。同时，由于主要闪存厂商正在转向3D NAND生产，初期产能并不高，所以2017年闪存价格将依然高企，直到2018年3D NAND开始放量，价格将恢复正常下降趋势。
如上图，目前闪存制造集中在几家公司，韩国的三星，海力士（Hynix），日本东芝，美国Intel，美光和西数（来自收购的SanDisk）。其中，东芝和西数有合资工厂，Intel和美光有合资工厂。为了在存储器制造领域占据重要位置，2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司（以下简称长江存储）正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武汉新芯）的基础上建立长江存储。紫光集团董事长赵伟国出任长江存储董事长，副董事长分别由国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武和湖北省长江经济带产业基金公司副总经理杨道虹出任，武汉新芯董事长王继增为长江存储监事长，武汉新芯CEO杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
长江存储的主要产品为3D NAND，将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，计划5年内投资1600亿元人民币（约240亿美元），预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
但是过了三个多月，大基金负责人丁文武向日本经济新闻透露长江存储想要引进NAND存储器的新技术，与美光正在谈判，2017年将完成谈判。随后紫光集团否认了这个传闻，估计放出这个消息也是为了刺激东芝。可以看出，长江存储还在和各大闪存巨头私下接触，万变不离其宗，只要我们明白紫光缺的是闪存制造技术，国际闪存巨头看重的是中国的庞大市场，就能看清这些虚虚实实之中的真正目的。
1月20日上午消息，紫光集团官网透露，该集团计划投资2600亿元人民币在南京建设半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目，其中约300亿美元投向半导体基地，项目主要产品为3D-NAND FLASH（闪存）、DRAM存储芯片等。紫光集团称，该半导体项目一期投资100亿美元，月产芯片10万片。今年紫光将在成都和南京建设两家半导体工厂，加上武汉的项目，总共投资700亿美金！当这条新闻发布时，很多国外业界人士有些迷糊了：这又是干啥？造这么多闪存和DRAM。
存储器芯片制造是个资金和技术密集型行业，一个工厂需要几十亿美金投资，制造设备又是非常尖端，即使能买到，也缺少会用的人，有了人还需要很长的时间来调试和规范流程，最终批量造出良率高的芯片。
目前国内有三家存储器制造企业：
- 武汉的长江存储，以及未来南京和成都的紫光系存储器工厂；
- 福建晋江的晋华存储器项目，由台湾半导体代工巨头联电（UMC）和晋江市政府合作。目标是建设月产6万片12吋内存晶圆生产线，计划于2018年第三季度投产。一期达产后，产能规模为月产6万片内存晶圆，年产值12亿美元，四期全部完工后月产24万片，年产值48亿美元。主要生产DRAM。
- 合肥长鑫，是北京兆易创新（GigaDevice）与合肥市政府合作的存储器项目。主要生产DRAM。
但是据说合肥工厂目前还没有运作。EETimes报道该公司之前由前日本DRAM巨头尔必达CEO Yukio Sakamoto创建，打算从日本，韩国和中国台湾招聘1000名工程师。但是后来薪水太高（高级工程师年薪88万美金），跟投资人没谈妥。不过，这也说明，缺半导体制造人才这个问题可以通过高薪从海外挖有经验的工程师来解决。当年，韩国为了发展DRAM产业也是这么干的。90年代的时候，日本DRAM工程师平时在日本上班，周末到三星兼职赚大钱，所以周末往返首尔和东京的飞机上挤满了日本工程师。
武汉新芯计划从三星西安工厂招1000名员工，同时从三星和Hynix工厂招有经验的工程师。新芯的3D NAND技术主要来源于和Spansion的合作，叫做Mirror-Bit技术，最初用在NOR Flash上，后来三星用该技术开发NAND Flash，新芯基于该技术开发出32层3D NAND。
外媒比较不解的是为什么紫光要在武汉，南京和成都三地建设工厂。EETimes分析是因为国家的资金由中央出一部分，地方配套一部分，所以地方政府之间有竞争，争着上项目来争取中央资金。未来武汉工厂月产30万片晶圆（闪存），投资300亿美金的南京工厂月产30万片（DRAM+闪存），投资280亿美金的成都工厂月产50万片（估计做晶圆代工）。
为什么厂商都向3D NAND转移呢，主要是因为3D NAND存储密度更大，同一片晶圆，32层只有300多个Flash芯片，64层就能到700多个，产量多就意味着赚更多的钱，毕竟芯片行业是靠走量赚钱。不过目前3D制造良率还不够高，产量不大，本来一个能月产十几万片的工厂，可能初期只能造3-5万片。所以在2D NAND减产，3D NAND产量不大的时候，市场上闪存供应量不足，导致去年下半年到今年的闪存涨价潮。
未来三星闪存产能大概在80万片，而长江存储2020年才能到30万片，2030年到100万片，这点量完全喂不饱中国的需求。所以可以预计，未来5年内，国产存储器对市场影响力不大，10-15年内，长江存储会成为三星一样规模的存储器生产巨头。不过2018年，随着各大巨头的3D NAND产能开始释放，SSD价格会大幅下降，手机上的存储容量也有望进一步提升。
引用：
中国闪存市场ChinaFlashMarket《2016年度闪存产业报告和2017年市场分析》，
http://www.eetasia.com/news/article/is-china-ready-for-a-memory-chip-fab
