这段时间看了份多伦多大学和谷歌联合出品的资料，有些有趣的结果值得分享一下。
通常我们认为：随着PE Cycle的增加，RBER会呈指数型增加，如下图
实际情况是：
- 不同型号的SSD，RBER增加的趋势差别很大 （用的相同的ECC）
- RBER随着PE Cycle线性增加，而非指数型增加
- PE Cycle到了以后，RBER也没有暴增
通常我们认为：SLC肯定比MLC错误率低
实际情况是：
- SLC的RBER确实比MLC低
- UBER方面，SLC并不是一直优于MLC
- 使用SLC的SSD的维修率，更换率，也没有比MLC SSD低
一般来说，我们认为：更新工艺的Flash错误率会更高
实际情况是：
- 更新的工艺， RBER确实更高
- 但是对UBER确没啥影响
出厂时间比PE Cycle对RBER的影响更大
Read, Program和Erase对RBER的影响：
Read的次数会影响RBER，Program和Write不会；
这三者都不影响UBER；
从左到右三组分别是Read, Program和Erase的次数。
相同型号，不同批次的SSD，RBER有差异
RBER高的型号，UBER不见得高
眼镜碎了一地。
原文：Flash Submit 2016 20160811_S303F_Shroeder.pdf 里面还有更多内容我还没看明白. L
