Marvell 在CES (Consumer Electronics Show) 2016上发布了新款SSD主控 “88NV1140“，该主控的出现，可能给SSD设计带来巨大变化。
新主控支持NVMe1.2标准里的HMB (Host Memory Buffer)功能，该功能允许主控像使用SSD上的DRAM一样使用主机DRAM。具体说来，就是主机在主存中专门划出一块内存给SSD使用，该内存在物理上可以不连续，SSD可以用它来缓存用户数据，也可以拿它放映射表，具体怎么用，取决于SSD设计者。
SSD有两种设计，一种是带DRAM的，DRAM用于缓存数据和映射表，目前主流SSD都是带DRAM的；还有一种就是不带DRAM （DRAM-Less），缓存数据用主控上的SRAM，映射表采用两级映射，一级映射和少量二级映射放SRAM，二级映射数据更多的是放在Flash上，这种DRAM-Less设计多为入门级SSD使用。Sandforce二代主控是DRAM-Less SSD的代表。
带DRAM的SSD设计，其优势是性能好，因为DRAM可以缓存更多用户数据，最重要的是映射表完全可以放在DRAM，查找和更新迅速；劣势就是，由于增加了一个DRAM，提高了SSD的成本，还有就是加大SSD功耗，另外，异常掉电可能导致更多的用户数据丢失。
DRAM-Less的SSD设计，正好相反，优势是成本和功耗相对低，异常掉电用户数据丢得少（SRAM有限，不可能缓存很多用户数据）；缺点是性能差，由于映射表绝大多数是存储在Flash中，对随机读来说，每次读用户数据，需要访问两次Flash，第一次是获取映射表，然后才是真正读取用户数据。
相比HDD，价格是SSD最大的劣势。因此，SSD要取代HDD，必须想办法把成本降下来。对一个SSD来说，材料成本主要来自Flash，几乎占了总成本的80%至95%。TLC和3D flash的出现，使得Flash价格/GB急剧下降，SSD价格一路走低。
由于TLC和3D flash设计原因，在写的时候需要缓存更多的数据，有更多缓存需求，DRAM-less的设计很难满足。
而带DRAM的设计又有之前提到的问题（成本高，功耗高），如何破？
NVMe1.2 HMB的出现，以及Marvell 新主控对HMB的支持，为SSD的设计提供了新的思路。SSD可以自己不带DRAM，完全用主机DRAM，用以缓存数据和映射表。
数据缓存给SSD带来的性能影响不说，单说映射表访问时间给性能带来的影响。拿随机读来说，DRAM-Less访问映射表的时间是读Flash的时间（flash page读时间+数据传输时间=~60us）；带DRAM的，其访问映射表的时间是读DRAM的时间；而对HMB来说，其访问映射表的时间是访问主机DRAM的时间，具体时间不太清楚，但肯定落在前面两个时间的中间，接近DRAM SSD，远远好于DRAM-Less SSD。下面是Marvell在2015年闪存峰会上给的一张图：
HMB使SSD成本和功耗降低了，性能还很赞，相信不久的将来，基于HMB设计的SSD会大量出现在SSD市场。
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