[馊评测] 建兴T10 Plus 性能评测

建兴T10 Plus是建兴和忆芯科技深度合作的一款SSD，主控方面采用忆芯科技的STAR1000，固件由建兴方面定制开发。

国产主控跟中国风的散热片更搭。

STAR 1000采用台积电28nm HPC工艺，支持PCI-E 3.0 x4通道与NVMe 1.2协议，支持StarLDPC ECC引擎，支持ASE256以及TCG OPAL加密，能够适配目前已有的MLC/TLC/3D MLC/3D TLC多种闪存类型。

SSDFans拿到的是256G和512G两个版本

T10Plus 512G版本，正面和反面都分别镶嵌了两颗东芝原厂的64层3D TLC闪存，单颗容量128GB，4颗容量共512GB，缓存使用了南亚的LPDDR3，型号是NT6CL128M32BM-H2，单颗容量为256MB，正反面各1颗共512MB。

拿下散热片后：

CrystalDiskMark结果

FIO结果（新盘）

• 测试步骤:
  • 顺序读写：Secure Erase — > Seq Write –> Seq Read
  • 随机读写：Secure Erase — > Rand Write –> Rand Read
• FIO配置： Direct=1 (不使用Cache), ioengine=libaio, IOQueue=32, 测试时间 60s, 顺序读写Block Size=128K，随机读写Block Size=4K

结果分析：

• 与CrystalDiskMark的结果相比，顺序写的速度降低了不少，以256G版本为例，CrystalDiskMark的结果是1G/S 左右，而FIO的结果只有300 MB/S。
  • 这是因为T10 Plus使用的SLC Buffer为4G, 如果以1G/S的速度写入，很快SLC buffer就会被充满，而300MB/S则是TLC Flash真实写入的速度。(说明：消费级SSD使用TLC Flash，并划分部分空间作为SLC buffer以提高性能，是比较常规的做法。在消费级用户的日常使用中，大部分情况也不会连续写入大量的数据，像FIO这样连续写入的情况比较少见)
  • 同时可以看到，因为512G版本使用了更多的Die数，所以在平均写入速度上相较256G版本翻倍。
• 与CrystalDiskMark的结果相比，顺序读的速度也有较大差距，以256G版本为例，CrystalDiskMark的结果是2548MB/S，而FIO的结果只有625 MB/S
  • 出现这个情况的原因跟测试方法有关
    • FIO顺序读写性能测试的步骤
      • 步骤 1: secure erase
      • 步骤 2: seq write 60s
      • 步骤3: seq read 60s
    • 由于步骤2在60s内写入的数据量不够 （写入比读取慢），步骤3进行一段时间以后会读到空白区域 –Host下发的读命令对应逻辑地址没有对应的物理地址，这种情况下固件会调用DMA做填“0”的操作，然后再把数据返回给Host ，这样读取速度就会下降
    • 在下面进行的FIO稳定状态结果中可以看到，经过全盘顺序写覆盖以后，顺序读取性能可以一直稳定在2G/S以上，与CyrstalDiskMark的结果匹配

FIO结果（稳定状态）

• 顺序读写测试前使用BS=128KB进行两遍全盘顺序写覆盖
• 随机读写测试前使用BS=4KB进行两遍全盘随机写覆盖
• FIO配置： Direct=1 (不使用Cache), ioengine=libaio, IOQueue=32, 测试时间 60s, 顺序读写Block Size=128K，随机读写Block Size=4K

结果分析：

• 顺序覆盖对顺序写入的性能基本没有影响；
• 随机写入覆盖以后，读写性能均有明显下滑，以256G版本为例：
  • 随机读取： 98K下降到61K， 降幅38%
  • 随机写入：77K下降到10K，降幅87%