随着计算机内存容量的不断扩大，很多公司都努力做到在满足节能高效的前提下尽可能地减少内存组件。
美国物理协会的研究者称，他们已经从氧化铬（Cr₂O₃）开发出了一种新型的开关元件，通过缩小版的开关元件可以用于制造计算机内存以及闪存驱动。
“该元件具有更好的可扩展性，因此可以做的更小，并且如果对它进行进一步的提纯，它将节省更多的资源”。明尼苏达大学的研究员在一次陈述中讲道。
计算机内存由很多很小的开关元件组成，它能够控制开和关来存储0 和1 的二进制信息。先前，发现氧化铬具有电性能但它仅能实现对电场的切换，然而，这个过程还需要静电场的参与。
在最新的研究中，研究人员通过用磁性材料包裹氧化铬，为氧化铬的核心设计了一种不需要任何外部磁场的存储设备。这种技术通过量子力学耦合到铬磁矩提供有效的磁场，同时使设备能够阻止杂散磁场影响附近的设备的方式进行排列。
位于设备顶部的元件，通过判断它是处于0 或 1 来确定读取设备状态，由于氧化铬和磁性材料的接触面之小，所以内存空间也将越来越大。
设备越来越小，相对于体积它的接触面的表面积越来越大，这大大的提高了可操作性。与传统的半导体相比，这一特性是一大优点，因为随着尺寸的缩小、表面积的增加会导致更多的电荷泄漏和热量损失。
现在，研究人员正计划用氧化铬制造并测试一种非易失性设备，该设备将可能取代计算机中的动态随机存储器（DRAM），由于DRAM存储存在一定的波动性，计算机一旦断电就会丢失信息。
Victora说：“DRAM是个巨大的市场，它为计算机提供了闪存的功能，但问题在于它会泄漏大量的电荷，这使它非常的不节能”
虽然研究人员充满希望，但是这样的设备需要突破巨大的耐热性限制。建模预测这种设备将在30摄氏度左右停止运转。
存在一种可能就是通过掺杂其他元素来优化氧化铬以改进其功能并使其更适于取代现存的存储设备。
原文链接：https://www.rdmag.com/article/2018/05/chromia-could-be-key-future-memory-devices
