地点:松江出口加工区
职位名称:PE/FA 工程师
职位说明:
2010–2012 上海环旭电子 维修FA Intel SSD;
2012–至今 广大集团(达研)负责SanDisk FA/PE的项目;
联系方式:longbao_tang@163.com
地点:松江出口加工区
职位名称:PE/FA 工程师
职位说明:
2010–2012 上海环旭电子 维修FA Intel SSD;
2012–至今 广大集团(达研)负责SanDisk FA/PE的项目;
联系方式:longbao_tang@163.com
不知从什么时候开始,世界掀起了一场区块链的热潮,所有人都在盲目地关注着区块链。它让普通人担忧:‘我不懂区块链和虚拟货币,会不会错过一个一生难求的发家致富机会?’;它让创业者和投资者焦虑:‘我不懂区块链和可应用场景,会不会错过创立/投资下一个BAT的机会?’。各创投圈大佬和科技圈人士都在火热地讨论着区块链,这个圈子甚至吸引了一些娱乐圈的人参与。
从比特币到区块链
2009年,比特币横空出世,中本聪在他的论文中描述了一个去中心化的交易系统,用密码学方法让交易者能在所有交易者的监督下记账,防止出现双重记账,篡改账本的情况。比特币是对记账行为的奖励,区块链这是这个系统的底层技术。
刚开始,没有人关注[……]
什么是3D NAND闪存?
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业研发出来的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制。从2D NAND到3D NAND就像平方到高楼大厦,所谓3D闪存就是2D闪存的例题堆叠。Intel曾经以盖楼为例介绍了NAND,普通的NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子变多了,理论上来讲可以无限堆叠,但是由于技术和材料限制,目前大多数3D NAND是64层的。
3D NAND不再像2D NAND那样只是简单的平面内堆栈,它还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存[……]
在本书第一章中,我们知道,纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说,NAND flash更容易出错了,或者说NAND 上的噪声增加了。
RBER (Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性。
图1-1 曲线从右到左依次是BCH,LDPC 硬判决算法,LDPC 软判决法,纵轴表示纠错[……]