SSD断电测试这个题目，之前就想学习一下，一直没下决心。
前段时间兵哥写了一篇介绍SSD掉电测试的文章反响不错，他说是在飞机上随便写写，半个小时就搞定了。
我读的书不够多，走的路不够远，做不到他这么举重若轻，只能花笨功夫慢慢磨。
最近找到一篇还不错的paper，一帮外国友人自己设计了一套测试SSD掉电的流程，然后从市面上买了15块SSD回来跑，最后发现有13块有问题（你没有看错，13块有问题）。
首先，这群歪果仁列出了SSD掉电可能导致的问题：
1. Bit Corruption: User data里存在个别bit错误； （Cell编程未完成）
2. Flying Write: 正确[……]
这个社会都没有阴谋？如果你说某件事是有人背后操纵，总是会有人站出来义正辞严的说不要相信阴谋论。但其实，在巨大的利益面前，没有阴谋就怪了。
很多阴谋，并不是几个人躲在小黑屋里，点着昏暗的灯光，烟雾缭绕商量出一个可怕的阴谋。更多的是在某件事情发生后，各种利益攸关方不谋而合自觉地采取对策，屏蔽真相，通过控制媒体混淆视听，获得对自己有利的结果。举个例子，阿呆有一次去逛商场，看到大厅里有个健康男士的评选，商家和媒体鼓噪了半天，最后选出了一位亮闪闪的肌肉男作为健康男士的冠军。出于嫉妒他肌肉的险恶用心，阿呆开始思考：有一身肌肉就是健康吗？按照我们中国人传统的观念，没有疾病，保持长寿才是健康，但是[……]
本文作者为MemBlaze李月宽
无论是2D NAND还是3D NAND，都存在RBER（初始比特出错率）的问题，并且PE（擦写）次数增加，RBER将逐渐变大。有错误就需要纠错，在2D NAND时代， MLC寿命末期的RBER示意如下。
上图共有4096*8个单元，每个单元为1bit，代表一个4KB大小的数据块，红点则是出错的比特（下文图片仍采用这种规范表示NAND的出错率）
对于MLC的这些错误比特，BCH编码即可以完成纠正，这也是2D NAND时代MLC能够成为企业级固态硬盘广泛应用的直接原因（SLC太贵，TLC出错率太高造成硬盘寿命达不到要求）。而3D TLC NAND出错率比2D[……]
在3D XPoint刚发布之后，Intel一直把它搞得神神秘秘，也不透漏到底是个什么秘密器件。任何一种器件总是有个发展历史，不能像孙悟空一样吸收天地日月之精华，突然从石头里蹦出来。悟空本来是个天资很好的石猴，经过了菩提老祖的传授，变得神通广大，改了个齐天大圣的名字，一下子玉皇大帝都被惊动了。Intel也是把曾经的某款器件经过工艺优化，改了个3D XPoint的名字，震惊世人。
不过，山外有山，人外有人。没有XPoint的实物，大家只能瞎猜，一旦有了基于3D XPoint的Optane SSD，就有大神来破解了。UBM Techinsights是业界著名的反向工程和芯片分析专业公司，他们[……]
兵哥为了实现能者多劳的，打破原有的大锅饭机制，必须判断闪存的真实耐磨度（如：page1为3000P/E cycle，page3为5000P/E cycle）。
测试page真实耐磨度的方法有很多，可以通过某个关键指标或者多个指标综合判断，也可以通过高温或者低温条件下的加速测试事先做好某一型号Nand Flash的耐磨度关键指标测试，具体做法有如下思路：
通过对某一个型号的Nand Flash做破坏性测试，对Nand Flash做最彻底的P/E测试，记录随着P/E cycle的增加，误码率（原始误码率和不可纠正误码率）和操作时间的精准数据，建立三者之间的数学模型，定义不同误码率（原始[……]
