随着物联网(IoT)、大数据和人工智能(AI)驱动的全新计算时代到来,对节能芯片的需求正在稳步增长。在这种情况下,我们通常考虑摩尔定律,缩小晶体管的尺寸。
然而,功率半导体的进步并不取决于晶体管尺寸的减少。硅电源开关,如MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管),被用来处理12V到+3.3kV的电压和数百安培的电流。这些开关要消耗很多能量!但它们的能力有限,这推动了碳化硅(SiC)等新材料的发展,这些新材料有望提供优异的性能。
碳化硅是一种复合半导体材料,它将硅和碳结合在一起,创造出了硅的超级表亲。与硅相比,碳化硅需要三倍以上的能量才能使电子开始[……]