11月4日，SK海力士公司宣布，“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体，计划在今年年内进行第一批量产”。96层Nand闪存是目前性能最强的Nand闪存半导体。
之所以称之为4D Nand是因为它是将3D Nand使用的电荷撷取闪存(CTF，Charge Trap Flash)结构与外围电路(PUC，Peri Under Cell)构造结合起来开发出的新技术。PUC技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方，相当于将公寓楼(Nand闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间[……]
近日，三星2018科技日在圣何塞（San Jose,CA）圆满结束，此次三星也带来了一些新产品、新技术，这些创新有助于最大化数据中心的效率，并使人工智能和其他企业和新兴技术成为可能。2018年三星科技日的主要内容包括:
据三星半导体公司总裁蔡志刚（J S Choi）说[……]
上篇文章剩下两个问题，上电扫描PCIe树和存储地址到PCIe地址的映射，本篇文章将对这两个问题做出解答。本文可能会针对某一款芯片做出详细流程解答，读者可以只关注整个流程，具体映射机制和寄存器参考芯片datasheet。上篇文章已经了解到如何访问配置空间，前256Bytes可以通过寄存器方式访问，后面的256B~4k必须通过映射才能访问，映射无非就是把配置空间映射到存储地址空间，或者把PCIe设备空间映射到存储地址空间。下面开始讨论映射关系。
PCIe在存储域地址空间分为三部分，PCIe控制器本身的寄存器、PCIe设备的配置空间、PCIe设备空间。寄存器和配置[……]
Group 2 NVM Command Set的第8项是Atomicity Parameters
测试步骤：
期望结果：
Group 2 NVM Command Set的第6项是Flush Command测试。
Case 1: Valid Namespace ID
测试步骤:
期望结果：
Cas[……]
