作者 绿芯半导体 风清扬
基础概述
在分析NAND error机制前，先普及下基本知识。闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效应管(MOSFET)：源极，漏极和栅极，其工作原理与场效应管类似，都是利用电压控制源极和漏极之间的通断，不同的是场效应管是单栅极结构，而闪存是双栅极结构，[……]
Author Archives: 阿呆
众里寻他千百度-手机镜像查找数据
作者 Modder
我们知道对于手机，物理分析相较逻辑分析可以提供更多数据给取证人员。这是海外关于手机取证的7个层级的表述，物理分析（橙色）部分提到了四项内容。
其中JTAG和ISP分析方法，对操作手法要求高，在海外培训中，一般会建议先JTAG，后ISP（下图来自Teel Tech ），在该[……]
CFMS中国闪存市场峰会亲历记
9月5日夜里，阿呆和SSD攻城狮来到深圳这座充满激情的城市，因为来回机票已经花了不少钱了，为了节省SSD Fans的经费，两人鸡冻的挤在一张大床上度过了一个难忘的夜晚。
9月6日一大早，就从酒店出发，如上图，拍照留念（住的是黄金海岸桑拿会馆背后一个小宾馆）。然后来到对面的CFMS会场[……]
安卓平台IO特性分析
作者 硅格-JC
背景
测试环境：
测试设备：Nexus5，32GB SanDisk INAND eMMC 4.51，无外挂SD卡。
操作系统：Android v4.4
IO监控软件：作者自己搞的BIOtracer
测试内容：
选取常用的14个软件，和4个系统功能[……]
