自第一台商业化的GaN功率器件问世以来已经过去八年了。那些积极推广GaN技术的公司也越来越被行业电力电子行业中的人士熟知。而且近年来，GaN初创企业的名单也越来越长:Exagan、GaNPower International及Tagore Technology等也在提供GaN功率器件。
和硅类功率器件的性能相比，GaN功率器件的性能具有明显优势。首先，其转换效率很高，GaN的禁带宽度是硅的三倍，临界击穿电场是硅的十倍，因此同样额定电压的GaN功率器件的导通电阻比硅器件低1000倍左右，大大降低了开关的导通损耗；而且，其工作频率很高，比硅器件高20倍左右。
在日益扩大的市场环境下，Yole development pement及其合作伙伴EPC和SEMI正在组织一个名为“GaN Con – Power GaN: from promises to possible market explosion”的技术日网络活动，从应用增长、供应链状况、成本等方面探索市场。这一活动将于2月21日在美国米尔皮塔斯举行。
大多数power GaN初创公司通过TSMC、Episil或X-Fab使用代工模式作为其首选合作伙伴。Yole表示，如果市场迅速发展，其他代工厂可能也会提供这项服务。代工厂模式为无晶圆厂或晶圆厂初创企业提供了一种快速发展的可能性，而现有的IDM可以从之前获得的GaN制造设备和知识中获益。
Yole的技术和市场分析师Ana Villamor表示:“有意思的是，除了一些初创公司外，一些有着强大背景的企业也在这一个领域参与竞争，包括英飞凌科技、安森美半导体、意法半导体、松下和德州仪器等工业巨头。”
由Yole的Power & Wireless团队执行的Power GaN报告确定了2018年的几个新项目:
英飞凌科技宣布于2018年底开始量产CoolGaN 400V和600V E模式HEMT产品。Yole的技术和市场分析师Ezgi Dogmus表示:“电子行业的领军企业已开始大规模生产GaN。”这一消息对电子行业来说是一个强烈的信号。因此，英飞凌科技以其领先的地位，已经拥有了许多半导体产品的客户，如果他们的需求可以得到满足，那么在不久的将来，这些客户很有可能会转向GaN解决方案。
最大的游戏公司对GaN的采用为未来的市场增长提供了信心。同时，意法半导体公司和CEA Leti公司宣布合作，在Leti公司的200mm研发线上合作开发二极管和晶体管的GaN-on-Si技术。
双方都希望在2019年对工程样品进行验证。此外，意法半导体还将在2020年之前在法国图尔的晶圆厂建立一条标准的生产线，包括GaN-on-Si异质外延。很多新产品在去年就已经研发成功，2019年将会提供更多产品，主要是面向高端或大容量用户应用的电源产品。
原文链接：https://compoundsemiconductor.net/article/106387/Power_GaN_Eight_Years_On
