Micron已经用它的新替代门(RG)结构录制了它的第4代3D NAND存储器设备。这段录音证实,该公司正按计划在2020年生产第4代3D NAND内存,但Micron警告称,使用新架构的内存将只用于选定的应用程序,因此,其明年的3D NAND成本削减将微乎其微。
Micron第四代3D NAND芯片使用了多达128个活动层,并在阵列设计方法下继续使用CMOS芯片。新型的3D NAND存储器改变了浮动门技术(已被英特尔和Micron公司使用多年),用于门替换技术,试图降低模具尺寸和成本,同时提高性能,并使更容易过渡到下一代节点。这项技术是由Micron单独开发的,没有任何来自英特尔的投入,所以它很可能是为Micron想要瞄准的应用量身定制的(可能是高asp,如移动设备、消费者等)。
Micron第四代128层3D NAND的录像带表明,该公司的新设计不仅仅是一个概念。 同时,Micron还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG处理技术,因此明年公司范围的每位成本不会大幅下降。 尽管如此,该公司承诺在其后续RG节点广泛部署之后,到2021财年(从2020年9月下旬开始)将实现有意义的成本降低。
目前,Micron科技正在提高96层3D NAND的产量,并于明年开始在其绝大部分产品线中使用。128层3D NAND硬件不会立即导致每位成本的显着下降,而是会随着时间的推移而下降。后续节点(Micron的第五代3D NAND?)可能具有至少128层,并且如果被广泛使用,则可以预测,与今天相比,它将大大降低公司的每位成本。
Micron公司首席执行官兼总裁Sanjay Mehrotra表示:
“我们使用替换门或简称“ RG”实现了我们的第一个生产模具。这个里程碑进一步降低了我们进行RG过渡的风险。提醒一下,我们的第一个RG节点将为128层,并将用于选择的一组产品。我们预计RG不会在2021财年广泛部署第二代RG节点之前实现有意义的成本降低。因此,我们预计2020财年NAND的成本降低最小。我们的RG生产部署方法将优化NAND资本投资的ROI。”
原文链接:https://www.anandtech.com/show/14942/micron-128layer-3d-nand-with-replacement-gate-cmos-under-array-taped-out