Micron公司本周在新加坡举行了其Fab 10 Expansion的盛大开幕仪式。新的洁净室预计不会提高公司每月晶圆产量的产能，但将使Micron能够继续采用具有更高层数和位密度的更先进的3D NAND处理技术。
新的新加坡Fab 10扩容是Micron Fab 10工厂的组成部分，该工厂以前由Fab 10N和Fab 10X组成。官方消息称，新的3D NAND生产设施建在一块16.5万平方米的土地上，但Micron没有透露更多关于可用的洁净室空间或扩建的其他特征。
Micron目前正在安装设备，预计在今年下半年(即未来4.5个月)的某个时候，在新的Fab 10工厂开始生产96层3D NAND芯片。与此同时，该公司强调，将根据3D NAND的需求和趋势调整生产工具的支出。此外，即使装备齐全，该设施也不会增加任何新的晶圆产能，而是将用于容纳更多3D NAND层所需的更先进的工艺设备。
随着3D NAND层数的增加，每个晶圆片需要花费更多的时间在化学气相沉积(CVD)设备中，这意味着刻蚀它们需要更长的时间。更长的时间，各种奢侈的生产技术，如字符串堆叠，延长制造需要更多的步骤。为了在3D NAND层数量增长的同时保持晶圆片加工数量的一致性，闪存生产商不得不在洁净室中增加额外的CVD和蚀刻机，这需要额外的空间。因此，虽然更大的晶圆厂可能不会增加每月晶圆启动的数量，但它们确实能够增加NAND闪存的产量。
除了新工厂，Micron还在新加坡扩大研发业务。Micron的NAND卓越中心将从事技术开发和产品工程等工作。考虑到这些功能将如何接近实际的生产设施，该公司当然希望提高其产量和生产率在Fab 10。
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