1994年的一天，全美国观众在电视上看见了上面这幕难忘的镜头：天上直升机成群，地上几十辆警车在洛杉矶高速公路追逐一辆白色福特野马SUV，最后著名橄榄球星辛普森在这辆车上被逮捕，被控谋杀妻子。总是虐待妻子的辛普森被控杀妻，检控方几乎可谓是”证据确凿”。事实上，诸多不利证据都指向辛普森，报纸公开用恶俗大标题”恶魔杀手辛普森”来报道他。但是辛普森聘请了梦幻律师团为他辩护。据专家估算，检方为了与”梦幻律师团”过招，至少破费了纳税人800多万美元巨款。这场官司，经历了474天的审理，出现了113位证人的1105份证词，甚至被称为”世纪审判”。
1995年10月3日，美国西部时间上午10点，当辛普森案裁决即将宣布之时，整个美国一时陷入停顿。克林顿总统推开了军机国务；前国务卿贝克推迟了演讲；华尔街股市交易清淡；长途电话线路寂静无声。数千名警察全副武装，如临大敌，遍布洛杉矶市街头巷尾。CNN统计数字表明，大约有1亿4千万（美国总人口3亿左右，几乎是一半人口）美国人收看或收听了”世纪审判”的最后裁决。陪审团裁决结果：辛普森无罪。辛普森后来还大摇大摆的写了一本书：如果我做了，介绍如果他是凶手，那他杀人的详细经过。尽管是假设，但书写的和历史回放一样。
阿呆探长通过逻辑推理，推断出3D XPoint其实就是相变存储器PCM的升级版（其实探长是看了别人的博客才知道的），但是，就像辛普森杀妻案一样，一切还没有尘埃落定，所以我们只能假设XPoint是PCM。
阿呆没想到对3D XPoint的头号嫌疑犯PCM感兴趣的人这么多，读者们问了很多专业的问题。探长立马失眠了：看来侦探不只是要会推理，还得懂技术原理啊。于是探长又找了一些资料，其中包括ST和Intel的合资公司Numonyx的文档，来说说PCM的内部结构和原理。
几种主流存储器对比
下图PCM的数据应该还在优化，最新的器件读写速度比表格里面快多了，写的速度不是传输速度，而是物理上的速度。这个表格的数据比较旧，主要还是一个存储器的功耗，寿命，功能等特征比较。可以看出，PCM的特点：
- 掉电数据不丢失；
- 可以按照字节访问；
- 软件简单；
- 写之前不需要擦出操作；
- 功耗低，和NAND差不多；
- 读写速度快；
- 寿命远长于NAND；
相变材料
Intel开发的相变存储器使用了硫属化物（Chalcogenides），这类材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。Numonyx的相变存储器使用一种含锗、锑、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被称为GST。现今大多数公司在研究和发展相变存储器时都都使用GST或近似的相关合成材料。
如下图，GST材料随着温度的上升，会从最左边的无定形态转变为右边的规则晶体结构，而电阻率也不断下降。这还是很好理解的，越有规则，导电性能就越好，电阻越小。但是，降温的过程中电阻值却不是可逆的，是底下那条直线。有半导体经验的人马上就明白了，我们要知道数字电路之所以能表示’1′,’0’，就是因为有双稳态，有两个不可逆的稳定状态。这种相变材料恰好有这种特性，就能来表示’0′,’1’了，也就能存储数据。
怎么读写？
如下图，是一个PCM存储单元，读的时候我们只要测量GST上面金属节点的电压就知道了，晶体态时电阻低，电压低，无定形态电阻高，电压高。其实测电阻就是测电压，假如底部接地，那么低阻时顶点电压低（和底部导通），可以来表示’0’，高阻时隔断，顶点电压高，可以表示’1’。
那写怎么弄呢？上图中，柱子就是加热器，通过电流之后加热GST，导致它发生相变，不过在不同的温度下，经过一定时间，相变的结果不一样。如下面第二张图，高温Tm下短脉冲加热从晶体变成无定形态，较高温Tx长脉冲加热时从无定形态变成晶体。第三张图是读写的温度时间控制波形。
Bit Line和Word Line
我们知道NAND Flash里面有BitLine和WordLine，通过这两个组成的矩阵结构来管理上亿个存储单元。下面几张图是PCM的BitLine和WordLine结构，通过两条线可以精确控制每一个单元，写的时候控制电流的大小来加热完成相变，读的时候通过测量bitline的电压值就能知道是低阻还是高阻，从而获得0，1值。
引用
http://nvmw.ucsd.edu/2010/documents/Atwood_Greg.pdf
http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b9eab320100y7ut.html
http://www2.ess.nthu.edu.tw/news/images/pic/Phase_Change_Memory.pdf
