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上图是 NAND 内部结构， WL 是若干个 Page ，一组（ 64 ） WL 是一个 block ，从左边的电路看，如果一个 page 的 WL 坏了，那么就不能正常地使用这个 WL 来控制栅极电压，这样就不能对其他 WL 下的 cell 进行 Read, Program, Erase 的操作了。所以对其他 page 的操作也有可能产生问题。
Inside NAND Flash Memories 一书中这么说：
Due to their particular structure, NAND memories haven’t row redundancy. When a wordlines short occurs, the block containing those wordlines is marked as bad.
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