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Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。
http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2012/20120821_TC12_Frickey.pdf
错误概率
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每1016bit读出现1个错
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MTBF（平均故障时间）2百万小时
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每年平均损坏0.44%的SSD容量
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数据室温下平均保持1年
NAND几种缺陷
如下图，只是分布图平移的可以想办法恢复，因为数据之间还是清楚隔离的。
RAID
使用多个die奇偶校验，可以挽救整个Die的报废。
Read Retry
MLC的几个数据点电压分布有可能会平移，只要几个分布没有叠加就可以恢复。Read Retry尝试用不同的参考电压来读数据，直到读出来。
Advanced Read Retry
先读附近的cell确定状态，再用不同参考电压读两次要读的cell，根据附近cell数据决定选择哪一个。
用软信息读
从图中看起来，是从不同的参考电压读到几组数据后综合得到最终数据。这个需要更强大的ECC纠错能力，如LDPC。跟Viterbi译码的软判决过程有点像。
