作者 陈浩
三星850 EVO SSD目前还是在市场上很受追捧，所以ssdfans翻译了ANandTech的评测文章以飨读者。文章写于2014年，有些内容已经过时了，请注意甄别。
三星在SSD领域一直都使我印象深刻。三星早期的SSD并不是很好，但自从推出SSD 830以来，三星在SSD领域做出了很多杰出的贡献，为SSD的性能，成本和可靠性设定了较高的标准。三星是第一家在客户端SSD中使用TLC NAND的制造商。这个行业的其他厂商花了两年的时间才能跟上三星的步伐。
虽然三星早期在TLC NAND领域处于领先地位，但真正的重磅消息是在一年之后的Flash Memory Summit上，三星展示了他们的技术突破。多年来，人们已经逐渐知道传统的NAND扩展很快就会达到瓶颈，但在平面上有一种新的扩展方式。 作为世界上第一家制造商，三星宣布已经开始大规模生产其128G的24层3D V-NAND。
V-NAND花了一年的时间才正式进入到零售产品中，但它最终还是实现了当初的承诺。成为市场上最快的SATA SSD对于SSD 850 Pro来说，简直唾手可得，同时它还达到了业界领先的保修和耐用等级，当然所有的这一切都要归功于3D V-NAND。
SSD 850 Pro在性能和功能方面都表现优异，但鉴于其高端的定位，对于大多数消费者来说，它并不是一种经济高效的解决方案。在今年的闪存峰会上，三星介绍了即将推出的TLC V-NAND SSD，它不仅解决了成本问题，同时仍然拥有3D NAND技术的所有优势。已经不需要再继续等待了，不出意料，固态硬盘很有可能被称为SSD 850 EVO。
850 EVO 系列在容量上和840 EVO差不多。唯一的区别是 850 EVO抛弃了 750GB的型号，从我听说的情况来看，750GB的型号并不是很受欢迎。说实话，这是一个很奇怪的中间容量，在价格方面显然不是 500GB和1TB的竞争对手。最初，听说850 EVO 的容量会达到2TB，但后来由于需求有限，三星并没有选择这么做。三星一直在开拓大容量SSD的市场，所以我觉得这次放弃2TB型号只是因为价格太高让用户难以接受。但是，好消息是三星具备将2TB的固态硬盘推向市场的技术。
TLC V-NAND 的第一个特性是它的耐用性。 120GB和250GB的额定写入总数据量为75TB，但是500GB和1TB型号的150TB写入总数据量的耐用性与850 PRO 相当。 下面将更多地讨论NAND并测试其P/E周期，但很显然，3D NAND技术在耐用性方面将TLC NAND推向了一个全新的水平。 由于更耐用的NAND，三星也将保修期由三年提升到了五年，这是深受大家欢迎的一个升级。我认为，尽管NAND耐久性从未成为限制因素，但是太多的供应商已经对三年保修做了定论。
除了NAND，在850 EVO上同样可以看到控制器中的演变。 现在，120GB，250GB和500GB的型号配备了新一代的MGX控制器，但是遗憾的是，由于三星无法让我了解有关新控制器的信息，所以对新控制器的细节也毫不知情。 听说MGX控制器是双核的，而1TB型号（840 EVO＆850 Pro）中的MEX具有三个ARM Cortex R4内核。之所以有这种改变，是因为这样做可以提高功效，而且，据称在小容量的型号中，第三个核心并不需要，因为需要跟踪的page和block都比较少，因此NAND的管理就只需要更少的处理能力。 我猜测，MGX也是用较小的进程节点制造的，两个内核以更高的时钟速率运行，但是现在还没有任何具体的信息来支持我的猜想。
850 EVO同样具有三星产品常见的功能。支持 DevSleep，硬件加速加密（TCG Opal 2.0和IEEE-1667）和RAPID。 同850 Pro一起，三星同时推出了RAPID 2.0，将最大可分配的RAM空间提升到了4GB（在系统中安装了16GB或更多的RAM），预计850 EVO将支持更新版本的RAPID。 事实上，随着Magician 4.5的发布，RAPID将会更新到2.1版本，但是这只是一个增量更新，增强了错误处理和英特尔快速存储驱动的兼容性问题。
