TurboWrite
TurboWrite是三星向840 EVO提供的一项功能，可以用来提升写性能。
在SLC模式下只使用一小部分的NAND并不是什么新鲜事，但是，这是第一次真正发挥作用，由于840 EVO使用较慢的TLC NAND，因此SLC缓冲区可以显著提高写性能和用户体验。毫不奇怪，TurboWrite也存在于850 EVO中。
缓冲区大小和核心架构保持不变。
所有写操作都首先进入到SLC缓冲区，然后在空闲时间再将其移动到TLC阵列。
唯一的例外情况是，长时间的持续写入会超过缓冲区大小，在这种情况下，数据将直接写入到TLC部分。
三星的评论指出，850 EVO具有提高随机写入性能的“enhanced TurboWrite technology”，但是，对于TurboWrite在850 EVO中实现与840 EVO中实现的不同之处，我并不知道任何其他的细节。 TurboWrite始终被设计为缓存所有的写入操作，而不管写入的性质如何（随机还是顺序），所以我不确定在这方面是否有任何变化。
显然，这些算法已经针对新的NAND和控制器架构进行了优化，并且整个算法有可能在整个过程中都有所改进，但当我从三星那得到回复时，我会提供更新。
我进行了一个快速的顺序写测试来看看TurboWrite在850 EVO中的表现如何。
在较小的容量下，它显然带来了巨大的性能提升，但是在500GB和1TB的情况下，有足够的NAND来提供SATA 6Gbps接口所需的并行性。这在840 EVO上有很大的提升，因为在写入TLC阵列时，其写入性能最高可达400MB / s，因此3D NAND技术的性能优势已经很明显。
