TLC 和 3D
过去我已经详细介绍了3D NAND和TLC NAND，在本文中，我将简单介绍一下3D技术对TLC NAND的意义以及TLC NAND对3D技术的意义。
说实话，3D技术是TLC的理想选择。有限的耐久性和性能一直是TLC NAND的基本问题，这是由在一个cell中存储三个位所需的附加电压状态引起的。
TLC的八个电压状态与MLC的四个电压状态相比，TLC NAND更容易损坏，因为它需要较小的电荷变化来改变当前cell的值。
由于NAND的工作原理，cell随着时间的推移而磨损，这会导致电子泄漏，从而改变cell中的电荷，从而导致电压状态的改变。由于电子数量的减少，die缩小而使得NAND更加容易磨损。
3D V-NAND的关键在于工艺。
回到40nm光刻时代，电子数量呈指数增长，这使得TLC比现代平面NAND更可行。
显然，V-NAND不改变TLC NAND的基础，因为它仍然需要8个电压状态来区分所有可能的3-bit 输出，但是由于电子数量的增加，在不同状态之间有更多的空间，因此cell的容错能力变得更强。
三星声称电压状态的重叠降低了10倍，这是一个巨大的变化。可以看到平面TLC电压状态是如何被塞满的，因此，其耐久性很低，因为电压在每个状态中的分布几乎是重叠的，因此即使电压的微小变化也会改变cell的电压状态。
较大的cell结构还能够实现更高的性能，因为它对cell进行编程所需的时间较少。
对于平面TLC NAND，它花费了多个非常高的电压脉冲以及多次验证过程来达到正确的电荷状态，但是通过更宽的电压分配，使编程过程具有较少的步骤，因此花费更少的时间。
并且考虑到较低的读/写延迟和较少的纠错需求，功耗也随之大大降低。
除了更好的延迟和功耗特性之外，三星还宣称其19nm的平面TLC NAND的密度增加了一倍，但是不知道128GB的32层TLC V-NAND的芯片尺寸。有传言说，128GB 的芯片实际上与86GB MLC的芯片相同，因为86GB乘以1.5等于129GB，在硅片级别MLC和TLC没有任何不同，但现在只是猜测。
我所知道的是，三星将要开始大量生产TLC V-NAND，这表明这两者并不完全一致。
此外，根据我所知，TLC NAND需要对外围电路进行一些更改，以便从一个单元读取三位数据，因此，NAND存储器阵列可能相似，但芯片尺寸至少略有不同。无论如何，我们会发现Chipworks（或其他一些芯片分析公司）会仔细研究NAND die。
