耐用性更接近 MLC NAND
每一代新的NAND的最大问题是耐用性。我们已经看到了SSD 850 Pro有6000个P/E周期，SSD 845DC Pro更是有惊人的40000个P / E周期，这证明了V-NAND在当今的平面NAND上提供了更好的耐用性。然而，除了企业级应用，耐用性从未真正地成为平面MLC NAND的一个障碍，所以基于TLC V-NAND的850 EVO为3D NAND的技术能力提供了更有趣的见解。
为了测试耐用性，用我们通常用的耐用性测试套件来测试120GB 850 EVO。
基本上，我只是使用Iometer在队列深度为1的情况下将128KB的顺序数据写入固态硬盘，同时监视Wear Leveling Count (WLC)和Total LBAs Written的SMART值。 WLC SMART的”当前值”以百分比表示剩余的耐用性（从99开始），而”原始数据”值表示消耗的P / E周期数。
看来，V-NAND的TLC约为2000 个P/E周期。原始的WLC值似乎是跟用户容量有关的（即120GB = 1个P/E周期），因为它的持续时间为2133个P/E周期（128 / 0.06），但并不将原始的NAND容量和总的数据写入算在内。然而，估算的写耐用性（仅为15,260 / 0.06）表明，NAND本身的耐用性为2,000个P/E周期，这个结果还是讲得通的，因为P/E周期数通常为几千次。同样也符合850 Pro的增加（从840 Pro的3000个增加到6000个）。
尽管客户端工作负载中的写耐久性从未真正成为平面TLC NAND的障碍，但TLC V-NAND的耐用性却增加了一倍，这使其在完全过时之前几乎不可能被损耗完。只有一些非常极端的工作负载才能在保修期内耗尽较小的容量，但是，850 EVO并不适合这种工作负载。
总而言之，绝对没有任何理由担心850 EVO的耐用性，特别是考虑到三星给予850 EVO的耐力评级为，75TB为120 / 250GB，150TB为500GB / 1TB。
