闪存（Flash）的一个特性就是，随着闪存的使用以及数据存储时间的变长，存储在闪存里面的数据容易发生比特翻转，出现随机性错误。这个问题随着闪存制程的变小越发严重。因此，使用闪存作为存储介质的SSD，需要采用一些数据完整性的技术来确保用户数据可靠不丢失。
- ECC纠错
SSD控制器上面都有ECC纠错模块，有些闪存内部也集成了ECC纠错模块。常用闪存ECC纠错算法有BCH（Bose，Ray-Chaudhuri与Hocquenghem三位大神名字首字母）和LDPC(Low Density Parity Check Code)等。目前市面上很多SSD控制器上采用的是BCH，但LDPC正成为趋势 。（读者可自行百度两者优劣势）
用户数据最终都是写在闪存的页（Page）上面，闪存的页空间除了用户空间，还有额外的预留空间，这部分空间可以用来写ECC校验数据。用户数据大小固定，需要更强的纠错能力，就需要更多的ECC空间。因此，纠错强度受限于闪存页的预留空间。越多的预留空间就能提供越强的ECC纠错能力。
目前绝大多数SSD都采用静态ECC纠错方案，即ECC纠错单元（用户数据）和ECC校验数据大小在整个SSD生命周期都是固定的，也就是说纠错能力始终保持不变。由于闪存在使用初期，内部发生比特翻转的概率小，而随着闪存的使用，出错概率逐渐变大。因此，有些SSD开始采用动态ECC纠错方案：开始使用更少的纠错码 ，这样在闪存的页里面可以存储更多的用户数据；随着SSD的使用，纠错能力需要加强，用户数据在闪存页里面占的比例变小，纠错码所占比例变大。动态ECC纠错方案就是随着SSD的使用，SSD动态调整其ECC纠错能力。动态ECC纠错有什么好处？如果开始使用更少的ECC校验数据，那么每个页能写入的用户数据就更多，相当于SSD拥有更多的OP (Over Provisioning) ，减小了写放大；同时，在数据从控制器写入或者读取闪存的通道上，用户数据越多，ECC校验数据越小，带宽利用率高。
其实，动态ECC不仅体现在随着时间的推移ECC纠错能力会发生变化，而且体现在SSD的闪存位置上每个Die甚至每个Page有不同的纠错能力。在SSD闪存阵列里，有些Die可能质量好点，有些Die可能质量差点，好的Die可以用更少的ECC纠错代码，相反，差的Die就需要更强的ECC纠错；对MLC来说，Lower Page相对Upper Page来说更稳定一些，因此可以使用弱一些的ECC保护，相反，Upper Page则需要更强的ECC保护.
- RAID数据恢复
当闪存中数据比特发生反转的个数超出ECC纠错能力范围后，ECC纠错就无能为力了。在一些企业级，以及越来越多的客户级SSD上，都在使用RAID纠错技术。类似磁盘阵列，SSD内部本质就是一个闪存阵列，所以可以借鉴磁盘阵列技术来确保数据的完整性。SSD的RAID一般采用RAID5：
以上图为例，某个SSD的闪存阵列由5个Die构成，Die0-3存储的是用户数据，Die P则存储校验数据，为Die0，Die1，Die2和Die3数据之异或和。假设Die 1上出现ECC不可纠的错误，那么可以通过读取Die0，Die2，Die3和Die P对应位置上的数据，然后做个异或和，就能恢复出Die 1上的数据。
采用RAID5的SSD，它只能恢复单个ECC不可纠的数据，如果出现多个ECC不可纠的错误，它也无能为力。
由于采用了冗余纠错技术，它需要额外的空间来存储冗余数据（校验数据），因此必然会牺牲用户空间，正应了一句话：天下没有不要钱的午餐！
- 重读（Read Retry）
闪存中的存储单元，由于受内部或者外部环境的影响，导致单元内部电压会发生平移，如下图所示：
上图以MLC为例，每个存储单元存储两个比特的数据，一共有四种状态。当四个状态的电压分布发生平移后，如果还是采用之前的参考电压去读取的话，就可能会读取数据失败。使用重读技术后，我们可以不断改变参考电压，来尝试找到可以读出数据的电压点，直到正确读出数据。理论上，只要这四个状态的电压分布没有发生重叠，就可以通过重读恢复数据。
- 扫描重写技术
这是一种防祸于未然的技术。SSD固件周期性的对写入到闪存的数据进行读取，获得比特翻转的信息，当某些数据内部发生比特翻转的个数达到一定阈值后，这些数据会被重写，从而能减少ECC不可纠错误。
- 数据随机化
闪存是通过控制栅施加电压来存储数据，对某些写入的数据样式很敏感，不断的输入全0或者全1，很容易导致闪存内部电量不均衡，从而造成信号抗干扰性下降，导致这些数据在闪存中可靠性变差。因此，SSD控制器或者闪存内部都有数据随机化模块，它对用户写入的数据加入扰码，使最终写入闪存的数据0和1基本保持均衡，减小数据发生比特翻转的概率。
- 磨损平衡
闪存都有擦除次数限制。闪存会随着擦除次数的增多而变得越来越不可靠。因此，SSD应该保持闪存中每个块（Block）写均衡，不要抓住几个块拼命写，然后把它寿命耗尽。关于磨损平衡，可参看《SSD基本工作原理》
