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function click()
{
if(event.button==2)
{
alert(‘禁止右键点击！’)
}
}
document.onmousedown=click
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坏块来源
- 出厂坏块 （Factory bad block）：Flash从工厂出来，就或多或少的有一些坏块。一般来说，出厂坏块率为2%-10%，再坏的话，出厂的时候就被淘汰了。
- 增长坏块 (Grown bad block)：随着Flash的使用，一些初期好块也会变成坏块。变坏的原因，主要是擦写磨损导致的。
坏块识别
Flash厂商在Flash出厂时，会对出厂坏块做特殊标记。一般来说，刚出厂的Flash都被擦除，里面的数据是全0xFF。但是对坏块来说，Flash厂商会打上不同的标记。拿Toshiba某型号Flash来说，它是这样标记出厂坏块的：
它会在出厂坏块的第一个Page和最后一个Page的数据区第一个Byte和Spare区第一个Byte写上一个非0xFF的值。
用户在使用Flash的时候，首先应该按照Flash文档，扫描所有的Block，把坏块剔除出来，建立一张坏块表。还是拿上面Flash来说，Toshiba建议按照下面的流程来建立坏块表：
还有些Flash厂商，它会把坏块信息存储在Flash内部某个地方（掉电不丢失），用户在建立坏块表的时候，没有必要扫描所有的Block来识别坏块，只需读取Flash的那个特定区域。
对增长坏块而言，它的出现会通过读写擦等操作反映出来。比如读到UECC （Uncorrectable Error Correction Code, 数据没有办法通过ECC纠错恢复），比如擦除失败，比如写失败，这都是一个坏块出现的反映。用户应该把这些坏块加入坏块表，不再使用。
坏块管理策略
一般有两种策略对付坏块，一是略过（Skip）策略，而是替换（Replace）策略。
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略过策略：用户根据建立的坏块表，在写Flash的时候，一旦遇到坏块，跨过它，写下一个Block。
SSD的存储空间是Flash阵列，一般有几个并行通道，每个通道上连接了若干个Flash。以上图为例，该SSD有四个通道，每个通道上挂了一个Flash（只有一个Die）。
SSD的固件 (Firmware) 向四个Die依次写入。假设Die1上有个Block B是坏块，若FW采取坏块略过策略，则写完Block A时，接下来便会跨过Block B写到Die 2 的Block C上面去。
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替换策略：与略过策略不同，当某个Die上发现坏块，它会被该Die上的某个好块替换。用户在写数据的时候，不是跨过这个Die，而是写到替换块上面去。采用此策略，除正常用户使用的Block，还需额外保留一部分好的Block，用于替换用户空间的坏块。整个Die上Block就划分为两个区域：用户区域和预留区域：
还是以上面的情况为例：
用户写入数据时，当碰到坏块B，它不会略过Die 1不写，而是写入到Block B 的替换者 Block B’上面去。
采用替换策略，SSD固件内部需维护一张映射表：坏块到替换块的映射，比如上图的B->B’。
两种坏块管理策略，没有谁优谁劣，取决于SSD的软硬件架构。在此提这两种策略，只是给设计者一个 参考。但需要提到的是，替换机制策略有一个致命点，那就是如果某个Die坏了（所有Block不可用，或者可用的很少），那么，整个SSD就废了！因为在那个Die上，找不到好块来替换坏块，用户数据无处可写！
替换策略有木桶效应，你也许会说，既然这样，那就采用略过策略吧。但是，对某些SSD控制器来说，它只支持替换策略。还是那句话，哪种策略适合你SSD的软件硬件架构，就用哪种吧。
