作者 白丁
业内人士都知道，目前正规的SSD厂商使用的闪存颗粒有两种来源，一种是购买原厂封装测试过的闪存芯片，质量较好，但是价格贵。另一种是直接从原厂购买晶圆，自己封装测试，好的用在SSD上，差的用在U盘、SD卡等产品中。HyperX SSD是金士顿的高端固态硬盘，所以采用的都是原厂封装测试过的闪存芯片，所以售价更贵。如果我们只是看性能评测是看不出闪存的差别的，必须要长期使用才能知道闪存寿命的差别。
这篇2012年ANandTech的评测给读者作参考。
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随着OCZ正在试图将尽可能多的产品转移到其Indilinx控制器上，SandForce（现在的Seagate，当年的LSI/Avago）需要扩展其他的合作伙伴。OCZ对渠道具有强大的控制权，因此，SandForce需要转向多个合作伙伴来使客户组合多样化。金士顿是SandForce的一个亮点。 去年HyperX品牌推出了首款基于金士顿SandForce（SF-2281）的SSD。 如今，金士顿又发布了基于HyperX 3K的低成本的SSD。
在这里，3K指的是SSD内部NAND的擦写周期数。正如我们在许多场合中讨论过的一样，NAND耐久性是有限的。 对NAND单元进行编程的过程对单元本身具有破坏性，随着时间的推移，NAND单元就无法保存电荷（也就是说无法保存用户数据）。
英特尔的50nm MLC NAND有10000个擦写周期。几何尺寸较小的晶体管虽然成本较低，但却降低了耐久性。 在34nm时，英特尔的P/E数量下降到了5000个周期，在25nm时，P/E数为3000到5000。 现代的SSD控制器包括磨损均衡逻辑，以确保所有单元均匀写入，因此，即使英特尔的SSD在25nm的低范围内，当应对典型的消费级工作负载时，其寿命也是足够的。 让我们来做一个数学计算，在一个假象的100GB的SSD上使用四种不同类型的NAND（3K，5K，10K和30K P/E周期）：
假设每天写入10GB数据到SSD中（对于大部分消费级工作负载来说已经足够多了），并且假设控制器会发生10倍的写放大（由于磨损均衡和垃圾回收，控制器必须写入10倍的数据到NAND），那么每天会消耗一次P/E周期。 对于25nm 3K P/E周期的NAND，其工作时间为8.219年，此时数据能保持12个月不变（只读）。 更重的工作负载具有更高的写放大，但是对于消费级使用来说，这个结果还是挺好的。
英特尔的25nm NAND有3K和5K的P/E周期（其中包括30K P/E周期的eMLC NAND）。 标配的HyperX SSD附带有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配备3K 25nm Intel MLC NAND。
英特尔的零件编号没有明显的区别，所以我不知道是否有一个很好的方法可以区分英特尔的3K和5K的部件。
如上所述，耐用性的损失对大多数消费级工作负载来说并不重要，但是如果想在写负载较重的企业环境中部署这些SSD，需要再考虑考虑。
HyperX 3K SSD已经可以在Newegg上买到了。虽然大多数容量的SSD可以节省10美元到20美元，但容量为480GB的SSD的成本节省是最大的。
金士顿还提供了一个可选的升级包，包括一个方便的螺丝刀，SATA电缆，USB电缆，Acronis克隆软件，SATA到USB的适配器和一个安装架。虽然我真的希望我们能看到更好的3.5″适配器，但这确实是一个很好的捆绑。捆绑包会在上面价格的基础上再加10美元。
像许多SandForce的合作伙伴一样，金士顿提供了一个工具箱来查看SMART数据，但无法确保能将SSD从程序中清除，所以提供了单独的程序来处理固件更新。
