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作者简介

吴忠杰

现任职务：Memblaze  高级总监

一直对闪存存储关注的朋友对NVMe SSD一定非常熟悉，NVMe SSD是现如今性能最好的存储盘。这种高性能盘在互联网领域已经得到了大规模应用，但是在行业用户还没有得以大范围普及。很多人对NVMe SSD也许还比较陌生，不知道如何应用该类型盘，并且给自己的业务带来价值。和SATA/SAS SSD以及HDD相比，她到底又有何神秘之处呢？在此我想对NVMe SSD做一些介绍。[……]

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作者简介

吴忠杰

现任职务：Memblaze  高级总监

NAND Flash芯片是构成SSD的基本存储单元，NAND Flash芯片工艺的发展、结构的变化将会推动整个闪存存储产业的高速发展。在设计闪存存储系统的时候，特别是在设计NAND Flash控制器、SSD盘或者卡的时候，都需要深入的了解NAND Flash的操作方法、接口命令及其时序。

一个NAND Flash芯片虽然非常小，采用LGA或者TSOP的封装形式，但是，其内部结[……]

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作者简介

冬瓜哥，《大话存储》系列图书作者，现任Microsemi存储系统架构师

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         此文写作过程中得到了ssdfans群友的帮助，在此表示感谢！

关于Device Based与Host Based

         Device Based就是一切FTL处理全由SSD主控负责，包括磨损均衡、地址映射等。这也是常规的做法。

        还有一类Host based，所有的FTL处理全部交给主机端的[……]

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上图是NAND内部结构，WL是若干个Page，一组（64）WL是一个block，从左边的电路看，如果一个page的WL坏了，那么就不能正常地使用这个WL来控制栅极电压，这样就不能对其他WL下的cell进行Read, Program, Erase的操作了。所以对其他page的操作也有可能产生问题。

Inside NAND Flash Memories一书中这么说：

Due to their particular structure, NAND memorie[……]

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Intel在Flash Summit上介绍了20nm工艺下保持SSD中NAND数据完整性的方法。

http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2012/20120821_TC12_Frickey.pdf

错误概率

• 每1016bit读出现1个错
  
• MTBF（平均故障时间）2百万小时
  
• 每年平均损坏0.44%的SSD容量
  
• 数据室温下平均保持1[……]

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