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2012年UCSD的NVM实验室和微软Mountain View研究院发表了一篇Paper,通过对6家Flash厂商的45种Flash芯片进行性能测试,对NAND Flash在未来的技术演进进行了分析。这些芯片工艺从72nm到25nm。
主要发现随着NAND制造工艺更微小,从20多nm,到10几nm,最后可能到6.5nm的预测最小尺寸,读写延迟不断增大,同样通道数的时候,性能会下降。同时寿命和错误率也会增加。当然,容量会不断增大。
每个cell里面每增加一个bi[……]