作者 帅师兄
文章要点总结：
1. 因为市场上DRAM和NAND供大于求，镁光科技股票上涨与它们价格上升有直接相关关系。
2. 三星电子和海力士投入新的产线，增加产量，压低价格，对镁光科技的股价走势有负面影响。
3. 所有生产闪存的公司都在利用光刻尺寸缩小技术来降低成本和增加单位晶圆的芯片数量。
从去年开始，因为供大于求导致价格上扬，镁光科技（Micron Technology，NASDAQ：MU）的股票一直在上涨。2016年5月13日（当天收市价是9.56美元）开始，到2017年4月11日（当天收市价是27.18美元）翻了三番。从季报可以看出，从2016年12月2日到2017年3月3日，镁光股价从18.79美元涨到25.57美元，增长了36%。然而，位出货量（Bit shipment）却只增长了1%。DRAM利润占了当季总利润的64%。
既然镁光科技的股价与平均销售价格成相关关系，然么我们来估计一下平均销售价格（ASP）的未来走势。
下图是三星电子过去四季度DRAM和NAND平均销售价格的记录以及将来四个季度的预测。从2017年第一季度，平均销售价格预计会从高点一直降。
尽管对于镁光科技，我们没有一张类似的图表，上面的图像让我们可以推测镁光的平均销售价格应该也有相似的走势。鉴于前面提到的相关关系，我们推测，因为平均销售价格的走低，镁光股价也会降低。
三星新建的Pyeongteak工厂投入使用。海力士在M14工厂也会增加3D NAND闪存的产量。这都会增加市场上的供应量，对拉低价格的影响。不仅如此，三星和海力士技术上的增强也给镁光带来了压力。技术上的进步意味着位成长率的增加。单位晶圆可以得到更多的芯片。
三星在2017年下半年要开始1Ynm产品（15nm或者16nm）的大规模生产，同时继续增加18nm DRAM的产量。到2017年下半年，10nm级别的DRAM预期会占据三星DRAM出货量的一般左右。然而，海力士和镁光预计到2017年第二季度才会开始出货18nm的DRAM。
三星预计会在2017年上半年就完成向64层3D NAND闪存的转型。然而，海力士在2016年4月份就开始了36层128GB 3D NAND芯片的生产，而且自从2016年11月份就开始48层256GB 3D NAND 芯片的大规模生产。镁光虽然也在出货32层3D NAND闪存，但是，预计2017年年底才会生产64层256GB的芯片。
所以，三星的DRAM位增长预计会增长26%，从2016年度的34185 Pb增长到2017年度的43196 Pb。NAND位增长在2017年预计会增长32%，从53719 Pb增长到70885 Pb。海力士的DRAM位增长预计会增长22%，从2016年度的21150 Pb到2017年度的25832 Pb。NAND位增长预计在2017年度增长26%，从15790 Pb增长到19938 Pb。
因为DRAM和NAND供求现状，镁光的收益预计在未来一段时间内仍然会保持上涨。对于2017年，收益增长主要是由于技术上的提高导致成本降低和产量增加。然而，镁光股价的上涨过于依赖于闪存平均销售价格。如下所述，未来三星和海力士产量的增加会提高市场上的产品供应量，对平均销售价格有拉低的负面效果，进而可能会遏制镁光股价的上涨。
原文报道
Micron Technology Will Be Impacted By Lower DRAM And NAND Prices As Competitors Increase Capacity
作者：Robert Castellano
